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IPW60R160C6 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IPW60R160C6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IPW60R160C6 자료 제공

부품번호 IPW60R160C6 기능
기능 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IPW60R160C6 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IPW60R160C6 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
CoolMOS™C6600V
600VCoolMOS™C6PowerTransistor
IPx60R160C6
DataSheet
Rev.2.2
Final
PowerManagement&Multimarket




IPW60R160C6 pdf, 반도체, 판매, 대치품
600V CoolMOS" C6 Power Transistor
IPx60R160C6
Maximum ratings
2 Maximum ratings
at Tj = 25 °C, unless otherwise specified.
Table 2 Maximum ratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, repetitive
Avalanche current, repetitive
MOSFET dv/dt ruggedness
Gate source voltage
ID
ID,pulse
EAS
EAR
IAR
dv/dt
VGS
Power dissipation for
TO-220, TO-247, TO-263
Power dissipation for
TO-220 FullPAK
Operating and storage temperature
Mounting torque
TO-220, TO-247
Mounting torque
TO-220 FullPAK
Continuous diode forward current
Diode pulse current2)
Reverse diode dv/dt3)
Ptot
Ptot
Tj,Tstg
IS
IS,pulse
dv/dt
Min.
-
-
-
Values
Typ. Max.
- 23.8
15
- 70
- 497
--
--
--
-20 -
-30
--
0.75
4.1
50
20
30
176
- - 34
-55 -
--
150
60
50
- - 20.6
- - 70
- - 15
Maximum diode commutation
speed3)
dif/dt
1) Limited by Tj,max. Maximum duty cycle D=0.75
2) Pulse width tp limited by Tj,max
3) Identical low side and high side switch with identical RG
500
Unit Note / Test Condition
A
A
mJ
A
V/ns
V
W
TC= 25 °C
TC= 100°C
TC=25 °C
ID=4.1 A,VDD=50 V
(see table 21)
ID=4.1 A,VDD=50 V
VDS=0...480 V
static
AC (f>1 Hz)
TC=25 °C
°C
Ncm M3 and M3.5 screws
M2.5 screws
A
A
V/ns
A/µs
TC=25 °C
TC=25 °C
VDS=0...400 V,ISD " ID,
Tj=25 °C
Final Data Sheet
4 Rev. 2.12, 20104-012-092

4페이지










IPW60R160C6 전자부품, 판매, 대치품
600V CoolMOS" C6 Power Transistor
IPx60R160C6
Electrical characteristics
Table 8 Gate charge characteristics
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Qgs
Qgd
Qg
Vplateau
Min.
-
-
-
-
Table 9 Reverse diode characteristics
Parameter
Symbol
Diode forward voltage
VSD
Min.
-
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
trr
Qrr
Irrm
-
-
-
Values
Typ.
9
38
75
5.4
Max.
-
-
-
-
Values
Typ.
0.9
Max.
-
460 -
8.2 -
35 -
Unit
nC
V
Note /
Test Condition
VDD=480 V,
ID=11.3 A,
VGS=0 to 10 V
Unit
V
ns
µC
A
Note /
Test Condition
VGS=0 V, IF=11.3 A,
Tj=25 °C
VR=400 V, IF=11.3 A,
diF/dt=100 A/µs
(see table 22)
Final Data Sheet
7 Rev. 2.12, 20104-012-092

7페이지


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