Datasheet.kr   

BSL315P 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 BSL315P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BSL315P 자료 제공

부품번호 BSL315P 기능
기능 Small-Signal-Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


BSL315P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BSL315P 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS™-P 2 Small-Signal-Transistor
Features
• Dual P-channel
• Enhancement mode
• Logic level (4.5V rated)
• Avalanche rated
• Qualified according to AEC Q101
• 100% lead-free; RoHS compliant
• Halogen free according to IEC61249-2-21
BSL315P
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
VGS=10 V
VGS=4.5 V
-30 V
150 mW
270
-1.5 A
PG-TSOP-6
65
4
1
23
Type
BSL315P
Package Tape and Reel Information
PG-TSOP-6 H6327: 3000 pcs/ reel
Marking
sPF
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 1)
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
ID
I D,pulse
T A=25 °C
T A=70 °C
T A=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=-1.5 A, R GS=25 W
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=-1.5 A,
V DS=-16V,
di /dt =-200A/µs,
T j,max=150 °C
Gate source voltage
V GS
Power dissipation1)
P tot T A=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
ESD Class
JESD22-A114 -HBM
Soldering Temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1) Remark: one of both transistors in operation
Lead Free Packing
Yes Non dry
Value
-1.5
-1.18
-6
11
Unit
A
mJ
6
±20
0.5
-55 ... 150
0 (<250V)
260 °C
55/150/56
kV/µs
V
W
°C
V
°C
°C
Rev 2.3
page 1
2013-11-07




BSL315P pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T A)
0.5
0.375
0.25
0.125
2 Drain current
I D=f(T A); V GS≥10 V
2
1.5
1
0.5
BSL315P
0
0 40 80 120
TA [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0
parameter: t p
101
10 µs
1 µs
10 ms 1 ms 100 µs
100
DC
10-1
10-2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TA [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJA=f(t p)
parameter: D =t p/T
103
0.5
102
0.2
0.1
0.05
0.02
101
0.01
single pulse
100
10-3
10-1
Rev 2.3
100 101
VDS [V]
10-1
102 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102
tp [s]
page 4
2013-11-07

4페이지










BSL315P 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
101
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=-1.5 A pulsed
parameter: V DD
8
BSL315P
7
6
5 15 V
6 V 24 V
100
25 °C
4
100 °C
125 °C
3
2
1
10-1
100
101 102
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
0
103 0 1 2
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
3
4
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
-60 -20 20
60 100 140
Tj [°C]
V GS
V gs(th)
Q g(th)
Q gs
Rev 2.3
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2013-11-07

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ BSL315P.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BSL315P

Small-Signal-Transistor

Infineon Technologies
Infineon Technologies

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵