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부품번호 | BSL315P 기능 |
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기능 | Small-Signal-Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOS™-P 2 Small-Signal-Transistor
Features
• Dual P-channel
• Enhancement mode
• Logic level (4.5V rated)
• Avalanche rated
• Qualified according to AEC Q101
• 100% lead-free; RoHS compliant
• Halogen free according to IEC61249-2-21
BSL315P
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
VGS=10 V
VGS=4.5 V
-30 V
150 mW
270
-1.5 A
PG-TSOP-6
65
4
1
23
Type
BSL315P
Package Tape and Reel Information
PG-TSOP-6 H6327: 3000 pcs/ reel
Marking
sPF
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 1)
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
ID
I D,pulse
T A=25 °C
T A=70 °C
T A=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=-1.5 A, R GS=25 W
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=-1.5 A,
V DS=-16V,
di /dt =-200A/µs,
T j,max=150 °C
Gate source voltage
V GS
Power dissipation1)
P tot T A=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
ESD Class
JESD22-A114 -HBM
Soldering Temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1) Remark: one of both transistors in operation
Lead Free Packing
Yes Non dry
Value
-1.5
-1.18
-6
11
Unit
A
mJ
6
±20
0.5
-55 ... 150
0 (<250V)
260 °C
55/150/56
kV/µs
V
W
°C
V
°C
°C
Rev 2.3
page 1
2013-11-07
1 Power dissipation
P tot=f(T A)
0.5
0.375
0.25
0.125
2 Drain current
I D=f(T A); V GS≥10 V
2
1.5
1
0.5
BSL315P
0
0 40 80 120
TA [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0
parameter: t p
101
10 µs
1 µs
10 ms 1 ms 100 µs
100
DC
10-1
10-2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TA [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJA=f(t p)
parameter: D =t p/T
103
0.5
102
0.2
0.1
0.05
0.02
101
0.01
single pulse
100
10-3
10-1
Rev 2.3
100 101
VDS [V]
10-1
102 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102
tp [s]
page 4
2013-11-07
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
101
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=-1.5 A pulsed
parameter: V DD
8
BSL315P
7
6
5 15 V
6 V 24 V
100
25 °C
4
100 °C
125 °C
3
2
1
10-1
100
101 102
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
0
103 0 1 2
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
3
4
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
-60 -20 20
60 100 140
Tj [°C]
V GS
V gs(th)
Q g(th)
Q gs
Rev 2.3
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2013-11-07
7페이지 | |||
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