Datasheet.kr   

ITS41k0S-ME-N 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 ITS41k0S-ME-N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ITS41k0S-ME-N 자료 제공

부품번호 ITS41k0S-ME-N 기능
기능 Smart High-Side NMOS-Power Switch
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


ITS41k0S-ME-N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 19 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

ITS41k0S-ME-N 데이터시트, 핀배열, 회로
ITS41k0S-ME-N
Smart High-Side NMOS-Power Switch
Data Sheet
Rev 1.0, 2012-09-01
Standard Power




ITS41k0S-ME-N pdf, 반도체, 판매, 대치품
3 Pin Configuration
3.1 Pin Assignment
4
ITS41k0S-ME-N
Pin Configuration
12
Figure 3 Pin configuration top view, PG-SOT223-4
3
3.2 Pin Definitions and Functions
Pin Symbol Function
1 IN Input, activates the power switch in case of connection to GND
2 VS Supply voltage
3
OUT
Output to the load
4 VS Supply voltage
Data Sheet
4 Rev 1.0, 2012-09-01

4페이지










ITS41k0S-ME-N 전자부품, 판매, 대치품
5 Electrical Characteristics
ITS41k0S-ME-N
Electrical Characteristics
Table 4
VS = 9V to 60V; Tj = -40°C to 125°C; all voltages with respect to ground. Currents flowing into
the device unless otherwise specified in chapter “Block Diagram and Terms”. Typical values
at Vs = 13.5V, Tj = 25°C
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ. Max.
Unit Note /
Test Condition
Number
Powerstage
NMOS ON Resistance
RDSON
0.8 1.5 IOUT= 150mA;
5.0.1
Tj = 25°C;
IN conected to GND
NMOS ON Resistance
RDSON
1.5 3.0 IOUT= 150mA;
5.0.2
Tj = 125°C;
IN conected to GND
NMOS ON Resistance
RDSON – 2 5 IOUT= 50mA;
5.0.3
Tj = 25°C;
VS = 6V;
IN conected to GND
Nominal Load Current 1);
device on PCB 2)
Timings of Power Stages
ILNOM
0.2
A Ta = 85°C;
Tj = 125°C;
5.0.4
Turn ON Time 3)
(to 90% of Vout);
VS to GND transition of VIN
Turn ON Time 3)
(to 90% of Vout);
VS to GND transition of VIN
Turn OFF Time 3)
(to 10% of Vout);
GND to VS transition of VIN
Turn OFF Time 3)
(to 10% of Vout);
GND to VS transition of VIN
ON-Slew Rate 3)
(10 to 30% of Vout);
VS to GND transition of VIN
ON-Slew Rate 3)
(10 to 30% of Vout);
VS to GND transition of VIN
OFF-Slew Rate 3)
(70 to 40% of Vout);
GND to VS transition of VIN
OFF-Slew Rate 3)
(70 to 40% of Vout);
GND to VS transition of VIN
Standby current consumption
tON
tON
tOFF
tOFF
SRON
SRON
SROFF
SROFF
– 125 4) µs VS=13.5V;
RL = 270
45 100 µs VS=13.5V;
RL = 270;
Tj = 25°C
– 175 4) µs VS=13.5V;
RL = 270
40 140 µs VS=13.5V;
RL = 270;
Tj = 25°C
– 6 4) V / µs VS=13.5V;
RL = 270
1.3 4.0 V / µs VS=13.5V;
RL = 270;
Tj = 25°C
– 8 4) V / µs VS=13.5V;
RL = 270
1.7 4.0 V / µs VS=13.5V;
RL = 270;
Tj = 25°C
5.0.5
5.0.6
5.0.7
5.0.8
5.0.9
5.0.10
5.0.11
5.0.12
Data Sheet
7 Rev 1.0, 2012-09-01

7페이지


구       성 총 19 페이지수
다운로드[ ITS41k0S-ME-N.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
ITS41k0S-ME-N

Smart High-Side NMOS-Power Switch

Infineon
Infineon

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵