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A4102 데이터시트 PDF




AiT Semiconductor에서 제조한 전자 부품 A4102은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 A4102 자료 제공

부품번호 A4102 기능
기능 LDO MODE OVP WITH INTEGRATED P-MOSFET
제조업체 AiT Semiconductor
로고 AiT Semiconductor 로고


A4102 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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A4102 데이터시트, 핀배열, 회로
AiT Semiconductor Inc.
www.ait-ic.com
A4102
LDO MODE OVP WITH INTEGRATED P-MOSFET
BATTERY MANAGEMENT
DESCRIPTION
The A4102 is Li+ charger IC with integrated
P-MOSFET. The device is fabricated with
advanced CMOS technology to achieve
maintaining low static power dissipation over a very
broad VCC operating range.
The A4102 integrates a P-MOSFET and Schottky
diode which is normally a discrete device employed
for conventional battery charging design of mobile
phone system. In addition to that, A4102 works like
a LDO mode to keep CHRIN voltage stable when
ACIN goes high. And thus it will not trigger the
CHRIN pin over-voltage protection when ACIN
voltage increased to as high as 15V.
FEATURES
A Built-In P-MOSFET
LDO mode makes CHRIN voltage stable around
5.5V
Range of operation input voltage: Max 15V
Charging current up to 1A
Environment Temperature: -20~ 85
Available in DFN8(2x2) Package
APPLICATION
Cell phone and other portable device
The A4102 provides complete Li+ charger
protections and saves the external MOSFET and
Schottky diode for the charger of cell phone’s
PMIC. It is available in a DFN8(2x2) package.
TYPICAL APPLICATION
The above features and small package make the
A4102 an ideal part for cell phones applications.
The A4102 is available in DFN8(2x2) Package.
ORDERING INFORMATION
Package Type
Part Number
DFN8
(2x2)
J8 A4102J8R
A4102J8VR
Note
R: Tape & Reel
V: Halogen free Package
AiT provides all RoHS products
Suffix “ V “ means Halogen free Package
REV1.0 - JAN 2012 RELEASED -
-1-




A4102 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AiT Semiconductor Inc.
www.ait-ic.com
A4102
LDO MODE OVP WITH INTEGRATED P-MOSFET
BATTERY MANAGEMENT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TJ = 25
Parameter
Threshold Voltage
CHRIN Voltage
Off-State Leakage
Reverse Block Leakage
On –State Drain Current
Vds/Idson
Symbol
Vth
V CHRIN2
IDss1
IDss2
Idson
Rdson
Conditions
Ids = -1uA, Vds = Vgs
VIN = 6.0V, ICHRIN = 50mA
VOUT = 0, VIN = 10V,
VGATDRV = VCHRIN1
VOUT = 5V, VIN = 0,
VGATDRV = VCHRIN1 = 0V
VIN = 5V, VOUT = 4V,VGATDRV =
1V
Vs = 5V, Vg = 1V, Vd = 4V
Min Typ Max Unit
-1.0 -0.7 -0.4 V
5.0 5.5 6.0 V
- - 1 uA
- 2 5 uA
0.9 1.2 1.5
0.5 0.75 1
A
Ω
REV1.0 - JAN 2012 RELEASED -
-4-

4페이지










A4102 전자부품, 판매, 대치품
AiT Semiconductor Inc.
www.ait-ic.com
PACKAGE INFORMATION
Dimension in DFN8(2x2) (Unit: mm)
A4102
LDO MODE OVP WITH INTEGRATED P-MOSFET
BATTERY MANAGEMENT
Symbol
A
A1
A3
D
E
D1
E1
k
b
e
L
Min Max
0.700/0.800
0.800/0.900
0.000
0.050
0.203REF.
1.900
2.100
1.900
2.100
1.100
1.300
0.500
0.700
0.200MIN.
0.180
0.300
0.500TYP.
0.250
0.450
REV1.0 - JAN 2012 RELEASED -
-7-

7페이지


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