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부품번호 | 320N20N 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 11 페이지수
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G
IPI320N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
200 V
32 mΩ
34 A
Type
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G
Package
Marking
PG-TO263-3
320N20N
PG-TO220-3
320N20N
PG-TO262-3
320N20N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
ID
I D,pulse
E AS
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=34 A, R GS=25 Ω
dv /dt
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1)J-STD20 and JESD22
2) See figure 3
34
22
136
190
10
±20
136
-55 ... 175
55/175/56
Rev. 2.3
page 1
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
2011-05-20
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G
IPI320N20N3 G
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
150
40
30
20
10
0
200 0
50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
200
102
101
100
10-1
10-1
Rev. 2.3
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
100 101 102
V DS [V]
100
0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
103
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
page 4
2011-05-20
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G
IPI320N20N3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=17 A pulsed
parameter: V DD
10
25 °C
100 °C
10 125 °C
8
160 V
100 V
6
40 V
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
230
220
1000
0
0 5 10 15 20 25
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
V GS
Qg
210
200 V g s(th)
190
Q g(th)
180
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.3
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2011-05-20
7페이지 | |||
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