Datasheet.kr   

320N20N 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 320N20N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 320N20N 자료 제공

부품번호 320N20N 기능
기능 Power-Transistor
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


320N20N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

320N20N 데이터시트, 핀배열, 회로
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G
IPI320N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features
• N-channel, normal level
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
• 175 °C operating temperature
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target application
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
200 V
32 mΩ
34 A
Type
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G
Package
Marking
PG-TO263-3
320N20N
PG-TO220-3
320N20N
PG-TO262-3
320N20N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
ID
I D,pulse
E AS
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=34 A, R GS=25 Ω
dv /dt
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1)J-STD20 and JESD22
2) See figure 3
34
22
136
190
10
±20
136
-55 ... 175
55/175/56
Rev. 2.3
page 1
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
2011-05-20




320N20N pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G
IPI320N20N3 G
2 Drain current
I D=f(T C); V GS10 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
150
40
30
20
10
0
200 0
50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
200
102
101
100
10-1
10-1
Rev. 2.3
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
100 101 102
V DS [V]
100
0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
103
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
page 4
2011-05-20

4페이지










320N20N 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G
IPI320N20N3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=17 A pulsed
parameter: V DD
10
25 °C
100 °C
10 125 °C
8
160 V
100 V
6
40 V
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
230
220
1000
0
0 5 10 15 20 25
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
V GS
Qg
210
200 V g s(th)
190
Q g(th)
180
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.3
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2011-05-20

7페이지


구       성 총 11 페이지수
다운로드[ 320N20N.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
320N20N

Power-Transistor

Infineon
Infineon

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵