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부품번호 | HFP730 기능 |
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기능 | 400V N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | SemiHow | ||
로고 | |||
June 2005
HFP730
400V N-Channel MOSFET
BVDSS = 400 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 5.5 A
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) ȍ7\S#9GS=10V
100% Avalanche Tested
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25ఁ͚
– Continuous (TC = 100ఁ͚
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
400
5.5
3.5
22
ρ30
330
5.5
7.3
5.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TC = 25ఁ͚
͞ ͵ΖΣΒΥΖ͑ΒΓΠΧΖ͑ͣͦఁ
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
73
0.58
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/ఁ
ఁ
ఁ
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJC
RșCS
RșJA
Junction-to-Case
Parameter
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.71
--
62.5
Units
ఁ͠Έ
క ΄Ͷ;ͺΈ͑Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͡͡
Typical Characteristics (continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
6
5
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature [ 䉝㼉
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
100
D=0.5
0.2
0.1
10-1 0.05
0.02
0.01
10-2
10-5
䈜㻌㻺㼛㼠㼑㼟㻌㻦
1. Zș -&(t) = 1.71 䉝㻛㼃 㻌㻹㼍㼤㻚
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * Zș -&(t)
single pulse
PDM
t1
t2
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
క ΄Ͷ;ͺΈ͑Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͡͡
4페이지 Package Dimension
{vTYYWGOhP
9.90±0.20
ij±0.20
4.50±0.20
1.30±0.20
1.27±0.20
1.52±0.20
2.54typ
2.54typ
2.40±0.20
0.80±0.20
0.50±0.20
క ΄Ͷ;ͺΈ͑Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͡͡
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
HFP730 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Shantou Huashan Electronic |
HFP730 | 400V N-Channel MOSFET | SemiHow |
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