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HFU4N50 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFU4N50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFU4N50 자료 제공

부품번호 HFU4N50 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
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HFU4N50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFU4N50 데이터시트, 핀배열, 회로
July 2005
HFD4N50 / HFU4N50
500V N-Channel MOSFET
BVDSS = 500 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 2.6 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
D-PAK I-PAK
2
1
3
HFD4N50
1
2
3
HFU4N50
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25ఁ͚͑
– Continuous (TC = 100ఁ͚͑
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
500
2.6
1.64
10.4
ρͤ͑͡
440
2.6
4.5
4.5
PD
TJ, TSTG
TL
Total Power Dissipation (TA=25) *
Power Dissipation (TC = 25ఁ͚͑
͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͞͵ΖΣΒΥΖ͑ΒΓΠΧΖ͑ͣͦఁ͑
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
2.5
45
0.36
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/ఁ͑
ఁ͑
ఁ͑
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
Parameter
RșJC Junction-to-Case
RșJA Junction-to-Ambient*
RșJA Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
2.78
50
110
Units
ఁ͠Έ͑
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΦΝΪ͑ͣͦ͑͡͡




HFU4N50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
TJ, Junction Temperature [oC]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R
101 DS(on)
10 Ps
100 Ps
1 ms
10 ms
100 100 ms
DC
10-1
100
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. T = 150 oC
J
3. Single Pulse
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
TJ, Junction Temperature [oC]
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [ 䉝㼉
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
D=0.5
100
0.2
0.1
0.05
10-1 0.02
0.01
10-5
䈜㻌㻺㼛㼠㼑㼟㻌㻦
1. Zș -&(t) = 2.78 䉝㻛㼃 㻌㻹㼍㼤㻚
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * Zș -&(t)
PDM
single pulse
t1
t2
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΦΝΪ͑ͣͦ͑͡͡

4페이지










HFU4N50 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
{vTY\YG
6.6±0.2
5.35±0.15
2.3±0.1
0.5±0.05
0.8±0.2
0.6±0.2
2.3typ
2.3typ
1.2±0.3
0.05+-00..015
0.5+-00..015
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΦΝΪ͑ͣͦ͑͡͡

7페이지


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