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HFU1N60S 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFU1N60S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HFU1N60S 자료 제공

부품번호 HFU1N60S 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFU1N60S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFU1N60S 데이터시트, 핀배열, 회로
Sep 2009
HFD1N60S / HFU1N60S
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V
RDS(on) typ = 10 Ω
ID = 1.0 A
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) : 10 Ω (Typ.) @VGS=10V
100% Avalanche Tested
D-PAK I-PAK
2
1
3
HFD1N60S
1
2
3
HFU1N60S
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25℃)
– Continuous (TC = 100℃)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
600
1.0
0.6
4.0
±30
33
1.0
2.8
4.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TA = 25) *
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
2.5
28
0.22
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
Parameter
RθJC Junction-to-Case
RθJA Junction-to-Ambient*
RθJA Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
4.53
50
110
Units
℃/W
SEMIHOW REV.A0,Sep 2009




HFU1N60S pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
TJ, Junction Temperature [oC]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 µs
1 ms
100
10 ms
100 ms
DC
10-1
100
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. VGS = 10 V
2. I = 0.5 A
D
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25 50 75 100 125
Figure 10. MaTxC,imCasuemTemDprearaitunreC[oCu]rrent
vs Case Temperature
150
D=0.5
100 0.2
0.1
0.05
0.02
10-1 0.01
10-2
10-5
* Notes :
1. ZθJC(t) = 4.53 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t)
single pulse
PDM
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
SEMIHOW REV.A0,Sep 2009

4페이지










HFU1N60S 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
TO-252
6.6±0.2
5.35±0.15
2.3±0.1
0.5±0.05
0.8±0.2
0.6±0.2
2.3typ
2.3typ
1.2±0.3
0.05+-00..015
0.5+-00..015
SEMIHOW REV.A0,Sep 2009

7페이지


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