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HFU2N65S 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFU2N65S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HFU2N65S 자료 제공

부품번호 HFU2N65S 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFU2N65S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFU2N65S 데이터시트, 핀배열, 회로
Mar 2010
HFD2N65S / HFU2N65S
650V N-Channel MOSFET
BVDSS = 650 V
RDS(on) typ = 5.0 ȍ
ID = 1.6 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) : 5.0 ȍ (Typ.) @VGS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
D-PAK I-PAK
2
1
3
HFD2N65S
1
2
3
HFU2N65S
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100͚
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
650
1.6
1.0
6.4
ρ30
100
1.6
4.4
4.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TA = 25) *
Power Dissipation (TC = 25͚
- Derate above 25
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
2.5
44
0.35
-55 to +150
300
Units
9
$
$
$
9
P-
$
P-
9QV
:
:
:ഒ
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJC
RșJA
RșJA
Junction-to-Case
Parameter
Junction-to-Ambient*
Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
2.87
50
110
Units
ഒ:
క ΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝;ΒΣ͑ͣ͢͡͡




HFU2N65S pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 * Note :
1. V = 0 V
GS
2. I = 250 PA
D
0.8
-100
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
101
is Limited by R
DS(on)
100 Ps
1 ms
100 10 ms
100 ms
DC
10-1
100
* Notes :
1. T = 25 oC
C
2. T = 150 oC
J
3. Single Pulse
101
102
103
V , Drain-Source Voltage [V]
DS
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. V = 10 V
GS
2. I = 0.9 A
D
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25 50 75 100 125
T , Case Temperature [oC]
C
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
D = 0 .5
100
0 .2
0 .1
0 .0 5
* N otes :
1 . Z (t) = 2.87 oC /W M ax.
TJC
2 . D u ty F actor, D = t /t
12
3 . T - T = P * Z (t)
JM C
DM TJC
1 0 -1
0 .0 2
0 .0 1
1 0 -2
1 0 -5
sin g le p u lse
PDM
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
t1
t2
1 0 -1
100
t , S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
క ΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝;ΒΣ͑ͣ͢͡͡

4페이지










HFU2N65S 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
{vTY\Y
6.6±0.2
5.35±0.15
2.3±0.1
0.5±0.05
0.8±0.2
0.6±0.2
2.3typ
2.3typ
1.2±0.3
0.05+-00..015
0.5+-00..015
క ΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝;ΒΣ͑ͣ͢͡͡

7페이지


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