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HFP4N65 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFP4N65은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFP4N65 자료 제공

부품번호 HFP4N65 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFP4N65 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFP4N65 데이터시트, 핀배열, 회로
April 2006
HFP4N65
650V N-Channel MOSFET
BVDSS = 650 V
RDS(on) typ = 2.3 Ω
ID = 3.6 A
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) : 2.3 Ω (Typ.) @VGS=10V
100% Avalanche Tested
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25℃)
– Continuous (TC = 100℃)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
650
3.6
2.3
14.4
±30
240
3.6
10
5.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TC = 25℃)
- Derate above 25℃
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
100
0.8
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Junction-to-Case
Parameter
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.25
--
62.5
Units
℃/W
SEMIHOW REV.A0,April 2006




HFP4N65 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
101 100 µs
1 ms
10 ms
100 DC
10-1
10-2
100
Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature [ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
10-5
Notes :
1. Zθ JC(t) = 1.25 /W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * Zθ JC(t)
single pulse
PDM
t1
t2
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
SEMIHOW REV.A0,April 2006

4페이지










HFP4N65 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
TO-220 (A)
9.90±0.20
φ3.60±0.20
4.50±0.20
1.30±0.20
1.27±0.20
1.52±0.20
2.54typ
2.54typ
2.40±0.20
0.80±0.20
0.50±0.20
SEMIHOW REV.A0,April 2006

7페이지


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