Datasheet.kr   

85N3LH5 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 85N3LH5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 85N3LH5 자료 제공

부품번호 85N3LH5 기능
기능 STD85N3LH5
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


85N3LH5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 16 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

85N3LH5 데이터시트, 핀배열, 회로
STD85N3LH5
STP85N3LH5 - STU85N3LH5
N-channel 30 V, 0.0042 , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK
STripFET™ V Power MOSFET
Features
www.DataSheet4U.com Type
STD85N3LH5
STP85N3LH5
STU85N3LH5
VDSS
30 V
30 V
30 V
RDS(on) max
< 0.005
< 0.0054
< 0.0054
ID
80 A
80 A
80 A
RDS(on) * Qg industry benchmark
Extremely low on-resistance RDS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
Application
Switching applications
Description
This product utilizes the 5th generation of design
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology.
The lowest available RDS(on)*Qg, in the standard
packages, makes this device suitable for the most
demanding DC-DC converter applications, where
high power density is to be achieved.
3
1
DPAK
IPAK
3
2
1
3
2
1
TO-220
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order codes
STD85N3LH5
STP85N3LH5
STU85N3LH5
Marking
85N3LH5
85N3LH5
85N3LH5
Package
DPAK
TO-220
IPAK
Packaging
Tape and reel
Tube
Tube
September 2008
Rev 5
1/16
www.st.com
16




85N3LH5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
STD85N3LH5 - STP85N3LH5 - STU85N3LH5
2 Electrical characteristics
www.DataSheet4U.com
(TCASE = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4. Static
Symbol
Parameter
V(BR)DSS
Drain-source breakdown
Voltage
IDSS
Zero gate voltage drain
current (VGS = 0)
IGSS
VGS(th)
Gate body leakage current
(VDS = 0)
Gate threshold voltage
RDS(on)
Static drain-source on
resistance
Test conditions
ID = 250 µA, VGS= 0
VDS = 20 V
VDS = 20 V,Tc = 125 °C
VGS = ± 22 V
VDS = VGS, ID = 250 µA
VGS = 10 V, ID = 40 A
SMD version
VGS = 10 V, ID = 40 A
VGS = 5 V, ID = 40 A
SMD version
VGS = 5 V, ID = 40 A
Min. Typ. Max. Unit
30 V
1 µA
10 µA
±100 nA
1 2.5 V
0.042 0.005
0.0046 0.0054
0.0052 0.0065
0.0058 0.0071
Table 5. Dynamic
Symbol
Parameter
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Qgs1
Qgs2
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Pre Vth gate-to-source
charge
Post Vth gate-to-source
charge
RG Gate input resistance
Test conditions
VDS = 25 V, f=1 MHz,
VGS = 0
VDD = 15 V, ID = 80 A
VGS = 5 V
(see Figure 16)
VDD = 15 V, ID = 80 A
VGS = 5 V
(see Figure 19)
f = 1 MHz gate bias
Bias = 0 test signal
level = 20 mV
open drain
Min Typ. Max. Unit
1850
380
58
pF
pF
pF
14 nC
6.8 nC
4.7 nC
2.3 nC
4.5 nC
1.2
4/16

4페이지










85N3LH5 전자부품, 판매, 대치품
STD85N3LH5 - STP85N3LH5 - STU85N3LH5
Electrical characteristics
Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations
www.DataSheet4U.com
Figure 10. Normalized gate threshold voltage Figure 11. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 12. Source-drain diode forward
characteristics
7/16

7페이지


구       성 총 16 페이지수
다운로드[ 85N3LH5.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
85N3LH5

STD85N3LH5

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵