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H5TQ5163MFR-16C 데이터시트 PDF




Hynix Semiconductor에서 제조한 전자 부품 H5TQ5163MFR-16C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 H5TQ5163MFR-16C 자료 제공

부품번호 H5TQ5163MFR-16C 기능
기능 512Mb DDR3 SDRAM
제조업체 Hynix Semiconductor
로고 Hynix Semiconductor 로고


H5TQ5163MFR-16C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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H5TQ5163MFR-16C 데이터시트, 핀배열, 회로
H5TQ(S)5163MFR
512Mb DDR3 SDRAM
H5TQ(S)5163MFR
** Since DDR3 Specification has not been defined completely yet
in JEDEC, this document may contain items under discussion.
** Contents may be changed at any time without any notice.
Rev. 1.0 / Oct 2008
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
1




H5TQ5163MFR-16C pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5TQ(S)5163MFR
6. AC and DC Output Measurement Levels
6.1 Single Ended AC and DC Output Levels
6.1.1 Differential AC and DC Output Levels
6.2 Single Ended Output Slew Rate
6.3 Differential Output Slew Rate
6.4 Reference Load for AC Timing and Output Slew Rate
7. Overshoot and Undershoot Specifications
7.1 Address and Control Overshoot and Undershoot Specifications
7.2 Clock, Data, Strobe and Mask Overshoot and Undershoot Specifications
7.3 34 ohm Output Driver DC Electrical Characteristics
7.4 Output Driver Temperature and Voltage sensitivity
7.5 On-Die Termination (ODT) Levels and I-V Characteristics
7.5.1 On-Die Termination (ODT) Levels and I-V Characteristics
7.5.2 ODT DC Electrical Characteristics
7.5.3 ODT Temperature and Voltage sensitivity
7.6 ODT Timing Definitions
7.6.1 Test Load for ODT Timings
7.6.2 ODT Timing Reference Load
8. IDD Specification Parameters and Test Conditions
8.1 IDD Measurement Conditions
8.2 IDD Specifications
8.2.1 IDD6 Current Definition
8.2.2 IDD6TC Specification (see notes 1~2)
9. Input/Output Capacitance
10. Standard Speed Bins
11. Electrical Characteristics and AC Timing
12. Package Dimensions
Rev. 1.0 / Oct 2008
4

4페이지










H5TQ5163MFR-16C 전자부품, 판매, 대치품
H5TQ(S)5163MFR
1.3 ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
512Mb
Configuration
# of Banks
Bank Address
Auto precharge
BL switch on the fly
Row Address
Column Address
Page size 1
32Mb x 16
8
BA0 - BA2
A10/AP
A12/BC#
A0 - A11
A0 - A9
2 KB
Note1 : Page size is the number of bytes of data delivered from the array to the internal sense amplifiers
when an ACTIVE command is registered. Page size is per bank, calculated as follows:
page size = 2 COLBITS * ORG ÷ 8
where COLBITS = the number of column address bits, ORG = the number of I/O (DQ) bits
Rev. 1.0 / Oct 2008
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상호 : 아이지 인터내셔날

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