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PDF CS7N60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CS7N60 | |
| Descripción | VDMOS type field effect transistor | |
| Fabricantes | Kymmene Electronics | |
| Logotipo |  |
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汇川电子
CS7N60 型 VDMOS 场效应晶体管
用途：主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率开关电路。
特点：开关速度快，通态电阻低，驱动电路简单等。封装形式为TO-220/TO-220F。
最大额定值 除非另有规定，除非另有规定，Tc= 25℃
参数名称
符号
额定值 单位
漏源反向电压
VDSS
600 V
连续漏极电流
ID
7A
脉冲漏极电流
IDM
28 A
栅源电压
VGS ±30 V
最大耗散功率
结温
贮存温度
TO-220
PD
TO-220F
Tj
Tstg
110
40
150
-55 ~150
W
℃
℃
电参数 除非另有规定，Tc= 25℃
参数名称
符号
漏源反向电压
VDSS
通态电阻
RDS(on)
阈值电压
VGS(th)
漏源漏电流
IDSS
栅源漏电流
IGSS
源漏二极管正向压降
VSD
a：脉冲测试 tp≤380µs,δ≤2%
测试条件
VGS= 0V, ID= 250μA
VGS= 10V, ID= 3.5A
VDS= VGS, ID= 250μA
VDS= 600V ,VGS= 0V
VGS= ±30V, VDS= 0V
IS= 7A, VGS=0V
规范值
单位
最小 典型 最大
600 V
1.2 Ω
2 4V
1 μA
±100 nA
1.3 V
地址：安丘市经济开发区
潍坊市汇川电子有限公司
电话：0536-4930586
传真：0536-4930589
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CS7N60 | VDMOS type field effect transistor | Kymmene Electronics |
| CS7N60A3R | Silicon N-Channel Power MOSFET |  Huajing Microelectronics |
| CS7N60A4R | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| CS7N60A7HD | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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