Datasheet.kr   

RB501SM-30 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RB501SM-30은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RB501SM-30 자료 제공

부품번호 RB501SM-30 기능
기능 Schottky Barrier Diode
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RB501SM-30 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

RB501SM-30 데이터시트, 핀배열, 회로
Schottky Barrier Diode
RB501SM-30
Data Sheet
lApplication
General rectification
lDimensions (Unit : mm)
0.8±0.05
0.12±0.05
(1)
lLand Size Figure (Unit : mm)
0.8
lFeatures
1) Ultra small mold type
(EMD2)
2) High reliability
3) Super low VF
lConstruction
Silicon epitaxial planar type
(2)
0.3±0.05
0.6±0.1
ROHM : EMD2
JEDEC : SOD-523
JEITA : SC-79
: Year, week and factory
lTaping Dimensions (Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ 1.5±0.05
f1.50.05
EMD2
lStructure (1) Cathode
(2) Anode
0.2±0.05
0.95±0.06
0
lAbsolute Maximum Ratings (Tc= 25°C)
Parameter
Symbol
Emptypocket 4.0±0.1
Conditions
2.0±0.05
fφ0.05.5
0.2
0.76±0.05
Limits Unit
Repetitive peak reverse voltage
VRM
Duty0.5
30 V
Reverse voltage
VR Direct reverse voltage
Average forward rectified current
Non-repetitive forward current surge peak
Io
IFSM
Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,
resistive load
60Hz half sin wave, Non-repetitive at
Ta=25ºC , 1cycle
Operating junction temperature
Tj
-
30
100
1000
125
V
mA
mA
°C
Storage temperature
Tstg
- -55 to +125 °C
lElectrical Characteristics (Tj= 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Min. Typ. Max. Unit
Forward voltage
VF IF=10mA - - 0.35 V
Reverse current
IR
VR=10V
- - 10 mA
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2015.01 - Rev.A




RB501SM-30 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RB501SM-30
lElectrical Characteristic Curves
10 10
IFSM
8.3 8.3
ms ms
1cyc
Ta=25°C
Data Sheet
IFSM
time
1cyc
Ta=25°C
1
1 10 100
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
1
1 10 100
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.10
0.08
Tj = 125°C
0.06 D = 1/2
Sin(θ=180)
0.04
DC
0.02
0.00
0
50 100 150
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(mA)
Io-PF CHARACTERISTICS
200
0.15
Tj = 125°C
0.10
Sin(θ=180)
0.05 D = 1/2
DC
0.00
0
10 20
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
30
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/5
2015.01 - Rev.A

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ RB501SM-30.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
RB501SM-30

Schottky Barrier Diode

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵