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D30N40 데이터시트 PDF




Alpha & Omega Semiconductors에서 제조한 전자 부품 D30N40은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 D30N40 자료 제공

부품번호 D30N40 기능
기능 AOD30N40
제조업체 Alpha & Omega Semiconductors
로고 Alpha & Omega Semiconductors 로고


D30N40 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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D30N40 데이터시트, 핀배열, 회로
AOD3N40
400V,2.6A N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AOD3N40 has been fabricated using an advanced
high voltage MOSFET process that is designed to deliver
high levels of performance and robustness in popular AC-
DC applications.
By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with
guaranteed avalanche capability this device can be
adopted quickly into new and existing offline power supply
designs.
VDS
ID (at VGS=10V)
RDS(ON) (at VGS=10V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
500V@150
2.6A
< 3.1
Top View
TO252
DPAK
Bottom View
D
D
S
G
G
S
D
G
S
AOD3N40
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
TC=25°C
CurrentB
TC=100°C
Pulsed Drain Current C
Pulsed Drain Current C
Avalanche Current C
Repetitive avalanche energy C
Single pulsed avalanche energy H
Peak diode recovery dv/dt
VGS
ID
IDM (<80µs)
IDM (<20µs)
IAR
EAR
EAS
dv/dt
TC=25°C
Power Dissipation B Derate above 25oC
PD
Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering
purpose, 1/8" from case for 5 seconds
TJ, TSTG
TL
Maximum
400
±30
2.6
1.6
5.6
6.5
1.5
34
68
5
50
0.4
-50 to 150
300
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A,G
Maximum Case-to-sink A
Maximum Junction-to-CaseD,F
Symbol
RθJA
RθCS
RθJC
Typical
46
-
2.1
Maximum
55
0.5
2.5
Units
V
V
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/ oC
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.2.0: May 2013
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D30N40 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AOD3N40
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
15 1000
12
VDS=320V
ID=2.6A
9
100
Ciss
Coss
6
10
Crss
3
0
024
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
6
10
10µs
RDS(ON)
1 limited
100µs
1ms
10ms
0.1 DC 0.1s
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
0.01
1 10 100
VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
1000
1
0.1 1 10
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100
800
600 TJ(Max)=150°C
TC=25°C
400
200
0
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
10
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
1 RθJC=2.5°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
0.01
0.001
0.000001
Single Pulse
PD
Ton
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
1
10
Rev.2.0: May 2013
www.aosmd.com
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