Datasheet.kr   

SVF9N90F 데이터시트 PDF




Silan Microelectronics에서 제조한 전자 부품 SVF9N90F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SVF9N90F 자료 제공

부품번호 SVF9N90F 기능
기능 900V N-CHANNEL MOSFET
제조업체 Silan Microelectronics
로고 Silan Microelectronics 로고


SVF9N90F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SVF9N90F 데이터시트, 핀배열, 회로
SVF9N90F/PN_Datasheet
9A, 900V N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
SVF9N90F/PN is an N-channel enhancement mode power
MOS field effect transistor which is produced using Silan
proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The
improved planar stripe cell and the improved guard ring
terminal have been especially tailored to minimize on-state
resistance, provide superior switching performance, and
withstand high energy pulse in the avalanche and commutation
mode.
These devices are widely used in AC-DC power suppliers, DC-
DC converters and H-bridge PWM motor drivers.
FEATURES
9A, 900V, RDS(on) (typ.)=1.10Ω@VGS=10V
Low gate charge
Low Crss
Fast switching
Improved dv/dt capability
NOMENCLATURE
ORDERING INFORMATION
Part No.
SVF9N90F
SVF9N90PN
Package
TO-220F-3L
TO-3PN
Marking
SVF9N90F
9N90
Material
Pb free
Pb free
Packing
Tube
Tube
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.0
2012.05.30
Page 1 of 8




SVF9N90F pdf, 반도체, 판매, 대치품
SVF9N90F/PN_Datasheet
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
1
Figure 1. On-Region Characteristics
Variable
VGS=4.5V
VGS=5V
VGS=5.5V
VGS=6V
VGS=7V
VGS=8V
VGS=10V
VGS=15V
0.1
0.1
Notes:
1.250µS pulse test
2.TC=25°C
1 10 100
Drain-Source Voltage – VDS(V)
Figure 3. On-Resitance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.5 VGS=10V
VGS=20V
1.4
1.3
1.2
1.1
Note: TJ=25°C
1.00 2 4 6 8 10
Drain Current – ID(A)
3500
3000
Figure 5. Capacitance Characteristics
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
2500
2000
1500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
Notes:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
0
0.1 1 10 100
Drain-Source Voltage – VDS(V)
Figure 2. Transfer Characteristics
100
-55°C
25°C
150°C
10
1
Notes:
1.250µS pulse test
2.VDS=50V
0.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Gate-Source Voltage– VGS(V)
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
10V0ariation vs. Source Current and Temperature
Notes:
1.250µS pulse test
2.VGS=0V
10
-55°C
25°C
150°C
1
0.1
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
Source-Drain Voltage– VSD(V)
1.2
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
VDS=720V
10 VDS=450V
VDS=180V
8
6
4
2
Note: ID=9.0A
0
0 5 10 15 20 25 30 35
Total Gate Charge – Qg(nC)
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.0
2012.05.30
Page 4 of 8

4페이지










SVF9N90F 전자부품, 판매, 대치품
PACKAGE OUTLINE
TO-220F-3L
SVF9N90F/PN_Datasheet
UNIT: mm
TO-3PN
UNIT: mm
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http://www.silan.com.cn
REV:1.0
2012.05.30
Page 7 of 8

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ SVF9N90F.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SVF9N90F

900V N-CHANNEL MOSFET

Silan Microelectronics
Silan Microelectronics
SVF9N90PN

900V N-CHANNEL MOSFET

Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵