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J507 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 J507은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 J507 자료 제공

부품번호 J507 기능
기능 P-Channel MOSFET ( Transistor ) - 2SJ507
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


J507 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J507 데이터시트, 핀배열, 회로
2SJ507
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2−π−MOSV)
2SJ507
Chopper Regulator, DCDC Converter and Motor Drive
Applications
Unit: mm
l 4 V gate drive
l Low drainsource ON resistance
: RDS (ON) = 0.5 (typ.)
l High forward transfer admittance : |Yfs| = 1.0 S (typ.)
l Low leakage current : IDSS = −100 µA (max) (VDS = 60 V)
l Enhancementmode : Vth = 0.8~2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drainsource voltage
Draingate voltage (RGS = 20 k)
Gatesource voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Rating
60
60
±20
1
3
0.9
249.6
1
0.09
150
55~150
Unit
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
TOSHIBA
2-5J1C
Weight: 0.36 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol Max Unit
Thermal resistance, channel to
ambient
Rth (cha)
138 °C / W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C
Note 2: VDD = 25 V, Tch = 25°C (initial), L = 339 mH, RG = 25 , IAR = 1 A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device.
Please handle with caution.
1 2002-09-04





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