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PDF CS12N60 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CS12N60 | |
| Descripción | N-CHANNEL MOSFET | |
| Fabricantes | BLUE ROCKET ELECTRONICS | |
| Logotipo |  |
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BR12N60(CS12N60)
N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 该器件适用于高效电源模块，主动式 PFC 电路和基于半桥拓扑结构的电子节能灯。
Purpose: These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies,active power
factor correction,electronic lamp ballast based on half bridge topology.
特点: 低栅电荷,反向传输电容低,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃)
12 A
ID(Tc=100℃)
7.4 A
IDM 48 A
VGSS
±30
V
EAS 870 mJ
EAR
22.5
mJ
IAR 12 A
PD(Tc=25℃)
225 W
TJ,TSTG
-55 to 150 ℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
BVDSS
VGS=0V
ID=250μA
IDSS
VDS=600V
VDS=480V
VGS=0V
TC=125℃
IGSS
VGS=±30V
VDS=0V
VGS(th)
VDS=VGS
ID=250μA
RDS(on)
VGS=10V
ID=6A
gFS
VDS=40V
ID=6A
VSD VGS=0V
IS=12A
Ciss
Coss VDS=25V VGS=0V f=1MHz
Crss
td(on)
tr
td(off)
VDD=300V ID=12A RG=25Ω
tf
最小值
Min
600
2
典型值
Typ
0.53
13
1760
182
21
30
85
140
90
最大值
Max
1
10
±0.1
4
0.65
1.4
2290
235
28
70
180
280
190
佛山 市蓝箭电子有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
单位
Unit
V
μA
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CS12N60 | N-CHANNEL MOSFET | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
| CS12N60A8H | Silicon N-Channel Power MOSFET |  Huajing Microelectronics |
| CS12N60A8HD | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| CS12N60A8R | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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