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BL8596 데이터시트 PDF




BELLING에서 제조한 전자 부품 BL8596은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BL8596 자료 제공

부품번호 BL8596 기능
기능 LDO mode OVP
제조업체 BELLING
로고 BELLING 로고


BL8596 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BL8596 데이터시트, 핀배열, 회로
BL8596
LDO mode OVP with Integrated P-MOSFET
DESCRIPTION
The BL8596 is Li+ charger IC with integrated P-
MOSFET. The device is fabricated with advanced
CMOS technology to achieve maintaining low static
power dissipation over a very broad VCC operating
range.
The BL8596 integrates a P-MOSFET and Schottky
diode which is normally a discrete device
employed for conventional battery charging
design of mobile phone system. In addition to
that, BL8596 works like a LDO mode to keep
CHRIN voltage stable when ACIN goes high. And
thus it will not trigger the CHRIN pin over-voltage
protection when ACIN voltage increased to as
high as 15V.
FEATURES
A Built-In P-MOSFET
LDO mode makes CHRIN voltage stable around
5.5V
Range of operation input voltage: Max 15V
Charging current up to 1A
Environment Temperature: -20C~85C
APPLICATIONS
Cell phone and other portable device
APPLICATION CIRCUIT
The BL8596 provides complete Li+ charger
protections and saves the external MOSFET and
Schottky diode for the charger of cell phone’s PMIC.
It is available in a DFN2x2-8L package.
BL8596
The above features and small package make the
BL8596 an ideal part for cell phones applications.
ORDERING INFORMATION / PIN CONFIGURATION / MARKING
BL8596CKBTR
DFN2x2-8L
BL8596CB6TR
SOT23-6L
Top Marking
OBYW
YW means the year and week parts being manufactured, subjected to change. OB is the code of the product;
it will not be changed on any part.
www.belling.com.cn
1




BL8596 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PACKAGE OUTLINE
Package
DFN2x2-8
Package specification
BL8596
Devices per reel 3000
Unit
mm
Package
SOT23-6
Package specification
Devices per reel 3000
Unit
mm
www.belling.com.cn
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