Datasheet.kr   

S-LMSD103AT1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 S-LMSD103AT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S-LMSD103AT1G 자료 제공

부품번호 S-LMSD103AT1G 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


S-LMSD103AT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 3 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

S-LMSD103AT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
Features
· Low Forward Voltage Drop
· Guard Ring Construction for
Transient Protection
· Negligible Reverse Recovery Time
· Low Reverse Capacitance
· Also Available in Lead Free Version
· S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements;
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Mechanical Data
· Case: SOD-123, Plastic
· Case material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
· Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
· Polarity: Cathode Band
· Leads: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
· Also Available in Lead Free Plating
(Matte Tin Finish). Please See
Ordering Information, Note 4, on Page 2
· Marking: Type Code only or Date Code and
Type Code
· Type Codes: LMSD103AT1G
LMSD103BT1G
LMSD103CT1G
· Weight: 0.01 grams (approx.)
S4
S5
S6
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
LMSD103*T1G
S-LMSD103*T1G
1
2
SOD-123
Equivalent Circuit Diagram
1
Cathode
2
Anode
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t £ 1.0s
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol LMSD103AT1G LMSD103BT1G LMSD103CT1G Unit
VRRM
VRWM
40
30
20 V
VR
VR(RMS)
28
21
14 V
IFM 350 mA
IFSM 1.5 A
Pd 400 mW
RqJA
300 °C/W
Tj, TSTG
-65 to +125
°C
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol Min Typ Max Unit
Reverse Breakdown Voltage (Note 2) LMSD103AT1G
40
LMSD103BT1G V(BR)R
30
¾
¾
V
LMSD103CT1G
20
Forward Voltage Drop (Note 2)
VFM
¾
¾
0.37
0.60
V
Peak Reverse Current (Note 2)
LMSD103AT1G
LMSD103BT1G
LMSD103CT1G
IRM
¾
¾ 5.0 mA
Total Capacitance
CT ¾ 28 ¾ pF
Reverse Recovery Time
trr ¾ 10 ¾ ns
Notes: 1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
Test Condition
IR = 100mA
IF = 20mA
IF = 200mA
VR = 30V
VR = 20V
VR = 10V
VR = 0V, f = 1.0MHz
IF = IR = 200mA,
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W
Rev.O 1/3





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ S-LMSD103AT1G.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
S-LMSD103AT1G

SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵