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S-LBAT54ALT1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 S-LBAT54ALT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S-LBAT54ALT1G 자료 제공

부품번호 S-LBAT54ALT1G 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


S-LBAT54ALT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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S-LBAT54ALT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
SCHOTTKY BARRIER DIODE
These Schottky barrier diodes are designed for high speed
sawppitlcichaintigons, circuit protection, and voltage clamping. Extremely
low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface
mpaocuknatge is excellent for hand held and portable applications
wsphaecree is limited.
LBAT54ALT1G
S-LBAT54ALT1G
FEATURES
1)Extremely Fast Switching Speed
2) Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I F = 10 mAdc
3)We declare that the material of product compliant with
RoHS requirements and Halogen Free.
4)S- Prefix for automotive and other applications requiring unique
site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and
PPAP capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
LBAT54ALT1G
LBAT54ALT3G
Marking
Shipping
B6 3000/Tape&Reel
B6 10000/Tape&Reel
30 VOLTS SCHOTTKY BARRIER
DETECTOR AND SWITCHING
DIODES
3
1
2
SOT–23 (TO–236AB)
MAXIMUM RATINGS(Ta = 25)
Rating
Symbol Limits Unit
DC reverse voltage
VR 30 V
Forward Power Dissipation
@TA = 25°C
PF
225 mW
Derate above 25°C
1.8 mW/°C
DC forward current
IF 200Max mA
Junction temperature
Storage temperature
TJ 125Max
Tstg −55+150
3
ANODE
CATHODE
1
2
CATHODE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25)
Parameter
Symbol Min.
Typ.
Reverse Breakdown
Voltage
Total Capacitance
Reverse current
Forward voltage
Forward voltage
Forward voltage
Forward voltage
Forward voltage
Reverse Recovery Time
V(BR)R
CT
IR
VF
VF
VF
VF
VF
trr
30
0.5
0.22
0.29
0.35
0.41
0.52
Repetitive Peak
Forward Current
Non–Repetitive Peak
Forward Current
IFRM
IFSM
Max. Unit
Conditions
V I R = 10 μA
10
2
0.24
0.32
0.4
0.5
1
5
pF VR = 1.0 V, f = 1.0 MHz
μA VR=25V
V IF=0.1mA
V IF=1mA
V IF=10mA
V IF=30mA
V IF=100mA
ns I F = I R = 10mA,I R(REC) = 1.0 mA
300 mA
600 mA (t < 1.0 s)
May,2015
Rev.C 1/3





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