Datasheet.kr   

S-LBAT54WT1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 S-LBAT54WT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 S-LBAT54WT1G 자료 제공

부품번호 S-LBAT54WT1G 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


S-LBAT54WT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 3 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

S-LBAT54WT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Schottky Barrier Diodes
These Schottky barrier diodes are designed for high speed
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Minia-
ture surface mount package is excellent for hand held and por-
table applications where space is limited.
• Extremely Fast Switching Speed
• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I F = 10 mAdc
We declare that the material of product compliance
with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
LBAT54WT1G
S-LBAT54WT1G
B4
3000/Tape&Reel
LBAT54WT3G
S-LBAT54WT3G
B4
10000/Tape&Reel
LBAT54WT1G
S-LBAT54WT1G
3
1
2
SOT–323 (SC–70)
3
CATHODE
1
ANODE
MAXIMUM RATINGS (T J = 125°C unless otherwise noted)
Rating
Reverse Voltage
Forward Power Dissipation
@ T A = 25°C
Derate above 25°C
Forward Current(DC)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
Symbol
VR
PF
IF
TJ
T stg
R θ JA
Max Unit
30 Volts
200
1.6
200Max
125Max
–55 to +150
625
mW
mW/°C
mA
°C
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (I R = 10 µA)
Total Capacitance (V R = 1.0 V, f = 1.0 MHz)
Reverse Leakage (V R = 25 V)
Forward Voltage (I F = 0.1 mAdc)
Forward Voltage (I F = 30 mAdc)
Forward Voltage (I F = 100 mAdc)
Reverse Recovery Time
(I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc, Figure 1)
Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc)
Forward Voltage (I F = 10 mAdc)
Forward Current (DC)
Repetitive Peak Forward Current
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)
Symbol
V(BR)R
CT
IR
VF
VF
VF
trr
VF
VF
IF
IFRM
IFSM
Min
30
Typ
0.5
0.22
0.41
0.52
0.29
0.35
Max Unit
— Volts
10 pF
2.0 µAdc
0.24 Vdc
0.5 Vdc
1.0 Vdc
5.0 ns
0.32 Vdc
0.40 Vdc
200 mAdc
300 mAdc
600 mAdc
Rev.B 1/3





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ S-LBAT54WT1G.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
S-LBAT54WT1G

SCHOTTKY BARRIER DIODE

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵