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20T03GH 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 20T03GH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 20T03GH 자료 제공

부품번호 20T03GH 기능
기능 AP20T03GH
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


20T03GH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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20T03GH 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP20T03GH/J
RoHS-compliant Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Lower Gate Charge
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
Description
G
D
S
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP20T03GJ) is
available for low-profile applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
50mΩ
12.5A
G D S TO-252(H)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
Storage Temperature Range
TJ Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
G
D
S
Rating
30
+20
12.5
8
40
12.5
0.1
-55 to 150
-55 to 150
TO-251(J)
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Value
10
110
Unit
/W
/W
Data & specifications subject to change without notice
1
200809013




20T03GH pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP20T03GH/J
14
I D = 10 A
12
V DS =15V
10 V DS =20V
V DS =24V
8
6
4
2
0
0 3 6 9 12
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
100
10 100us
1ms
1 10ms
100ms
1s
DC
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
0.01
0.1 1
10
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
1000
Ciss
100
Coss
Crss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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