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부품번호 | FS3KM-18A 기능 |
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기능 | HIGH-SPEED SWITCHING USE | ||
제조업체 | Powerex Power Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
FS3KM-18A
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS3KM-18A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
10 ± 0.3
Dimensions in mm
2.8 ± 0.2
φ 3.2 ± 0.2
¡VDSS ................................................................................ 900V
¡rDS (ON) (MAX) ................................................................ 4.0Ω
¡ID ............................................................................................ 3A
¡Viso ................................................................................ 2000V
APPLICATION
SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power
supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-
sonal computer etc.
2.54 ± 0.25
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
0.75 ± 0.15
123
w
q GATE
q w DRAIN
e SOURCE
e
TO-220FN
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
Tch
Tstg
Viso
—
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
Conditions
AC for 1minute, Terminal to case
Typical value
Ratings
900
±30
3
9
30
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
Vrms
g
Feb.1999
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
20
Tch = 25°C
ID = 5A
16
12
VDS = 250V
400V
600V
8
4
0
0 10 20 30 40 50
GATE CHARGE Qg (nC)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS3KM-18A
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
VGS = 0V
Pulse Test
8
TC = 125°C
6 75°C
25°C
4
2
0
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
7
VGS = 10V
ID = 1/2ID
5 Pulse Test
3
2
100
7
5
3
2
10–1
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
1.4
VGS = 0V
ID = 1mA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
101
7
5
D = 1.0
3 0.5
2
100 0.2
7
5
0.1
3
2
10–1
7
5
3
2
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
tw
T
D= tw
T
10–2
10–42 3 5710–32 3 5710–22 3 5710–12 3 57100 2 3 57101 2 3 57102
PULSE WIDTH tw (s)
Feb.1999
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