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FDS8984_F085 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8984_F085은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDS8984_F085 자료 제공

부품번호 FDS8984_F085 기능
기능 N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS8984_F085 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS8984_F085 데이터시트, 핀배열, 회로
FDS8984_F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 7A, 23m
Fabruary 2010
tm
General Description
Features
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
rDS(ON) and fast switching speed.
„ Max rDS(on) = 23m, VGS = 10V, ID = 7A
„ Max rDS(on) = 30m, VGS = 4.5V, ID = 6A
„ Low gate charge
„ 100% RG tested
„ Qualified to AEC Q101
„ RoHS Compliant
DD2DD2
DD1
DD1
SO-8
Pin 1 SO-8
SS1GS1SS2GG2
5
6 Q2
7
8 Q1
4
3
2
1
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current Continuous
Pulsed
Parameter
(Note 1a)
EAS Single Pulse Avalache Energy
PD
Power Dissipation for Single Operation
Derate above 25°C
(Note 2)
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature
Ratings
30
±20
7
30
32
1.6
13
-55 to 150
Units
V
V
A
A
mJ
W
mW/°C
°C
Thermal Characteristics
RθJA
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8984
Device
FDS8984_F085
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8984_F085 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com




FDS8984_F085 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10 700
600
8
6
VDD = 10V
VDD = 15V
500 f = 1MHz
VGS = 0V
400
CISS
4 VDD = 20V
2
0
0 2 4 6 8 10
Qg, GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
300 COSS
200
100 CRSS
0.1 1 10 30
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
20
10
STARTING TJ = 25OC
STARTING TJ = 125OC
1
0.01 0.1 1 10 20
tAV, TIME IN AVALANCHE (mS)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
8
7
6 VGS=10V
5
4
3 VGS=4.5V
2
1
0
25 50 75 100 125 150
T , AMBIENT TEMPERATURE (oC)
A
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
100
10us
10 100us
1 1ms
OPERATION IN THIS
10ms
AREA MAY BE
0.1 LIMITED BY rDS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
100ms
1s
DC
TA = 25oC
0.01
0.1
1
10 100
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
3000
1000
100
VGS=10V
10
TA = 25oC
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25oC DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I25
1----5---0-1---2---5--T----A---
SINGLE PULSE
1
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS8984_F085 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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