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STX13005G 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STX13005G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STX13005G 자료 제공

부품번호 STX13005G 기능
기능 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STX13005G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STX13005G 데이터시트, 핀배열, 회로
STX13005
High voltage fast-switching NPN power transistor
Features
High voltage capability
Low spread of dynamic parameters
Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
Very high switching speed
Applications
Compact fluorescent lamp (CFL)
Switch mode power supplies (AC-DC
converters)
Description
The device is manufactured using high voltage
multi-epitaxial planar technology for high
switching speeds and medium voltage capability.
It uses a cellular emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
TO-92
TO-92
AMMOPACK
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary(1)
Order code
Marking
Package
Packaging
STX13005
STX13005G
STX13005-AP
STX13005G-AP
X13005
X13005G
X13005
X13005G
TO-92
Bulk
Ammopack
1. The letter "G" in the order code suffix identifies the product as ECOPACK®2 grade. Please see Section 4 for details.
August 2009
Doc ID 9151 Rev 6
1/13
www.st.com
13




STX13005G pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STX13005
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 4. Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICES
Collector cut-off current
(VBE =0)
VCE =700 V
VCE =700 V TC = 125°C
ICEO
Collector-cut-off current
(IB = 0)
VCE = 400 V
V(BR)EBO
Emitter base breakdown
voltage
(IC = 0)
IE = 10 mA
9
Collector-emitter
VCEO(sus) (1) sustaining voltage
(IB = 0)
IC =10 mA
400
VCE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 1A
IC = 2A
IC = 3A
_ IB = 200 mA
_ _ IB = 500 mA
_ _ IB = 750 mA
VBE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 1A
_ IB = 200 mA
IC = 2A _ _ IB = 500 mA
hFE (1) DC current gain
IC = 1 A
_ VCE = 5 V 10
IC = 2 A _ _ VCE = 5 V 8
Resistive load
ts Storage time
tf Fall time
IC = 2 A
VCC = 125 V
IB1 = -IB2 = 400 mA
tp = 30 µs
Inductive load
ts Storage time
tf Fall time
IC = 1 A
Vclamp =300 V
IB1 = 200 mA VBE(off) = -5 V
L = 50 mH
RBB = 0
1. Pulse test: pulse duration 300 µs, duty cycle 2 %
1.65
260
0.8
150
1
5
1
18
0.5
0.6
5
1.2
1.6
30
24
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
µs
ns
µs
ns
4/13 Doc ID 9151 Rev 6

4페이지










STX13005G 전자부품, 판매, 대치품
STX13005
Figure 14. Reverse biased SOA
Electrical characteristics
Doc ID 9151 Rev 6
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