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부품번호 | STX13005G 기능 |
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기능 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 13 페이지수
STX13005
High voltage fast-switching NPN power transistor
Features
■ High voltage capability
■ Low spread of dynamic parameters
■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
■ Very high switching speed
Applications
■ Compact fluorescent lamp (CFL)
■ Switch mode power supplies (AC-DC
converters)
Description
The device is manufactured using high voltage
multi-epitaxial planar technology for high
switching speeds and medium voltage capability.
It uses a cellular emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
TO-92
TO-92
AMMOPACK
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary(1)
Order code
Marking
Package
Packaging
STX13005
STX13005G
STX13005-AP
STX13005G-AP
X13005
X13005G
X13005
X13005G
TO-92
Bulk
Ammopack
1. The letter "G" in the order code suffix identifies the product as ECOPACK®2 grade. Please see Section 4 for details.
August 2009
Doc ID 9151 Rev 6
1/13
www.st.com
13
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STX13005
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 4. Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICES
Collector cut-off current
(VBE =0)
VCE =700 V
VCE =700 V TC = 125°C
ICEO
Collector-cut-off current
(IB = 0)
VCE = 400 V
V(BR)EBO
Emitter base breakdown
voltage
(IC = 0)
IE = 10 mA
9
Collector-emitter
VCEO(sus) (1) sustaining voltage
(IB = 0)
IC =10 mA
400
VCE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 1A
IC = 2A
IC = 3A
_ IB = 200 mA
_ _ IB = 500 mA
_ _ IB = 750 mA
VBE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 1A
_ IB = 200 mA
IC = 2A _ _ IB = 500 mA
hFE (1) DC current gain
IC = 1 A
_ VCE = 5 V 10
IC = 2 A _ _ VCE = 5 V 8
Resistive load
ts Storage time
tf Fall time
IC = 2 A
VCC = 125 V
IB1 = -IB2 = 400 mA
tp = 30 µs
Inductive load
ts Storage time
tf Fall time
IC = 1 A
Vclamp =300 V
IB1 = 200 mA VBE(off) = -5 V
L = 50 mH
RBB = 0
1. Pulse test: pulse duration ≤300 µs, duty cycle ≤2 %
1.65
260
0.8
150
1
5
1
18
0.5
0.6
5
1.2
1.6
30
24
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
µs
ns
µs
ns
4/13 Doc ID 9151 Rev 6
4페이지 STX13005
Figure 14. Reverse biased SOA
Electrical characteristics
Doc ID 9151 Rev 6
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STX13005 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST Microelectronics |
STX13005-AP | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | STMicroelectronics |
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