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FS3UM-10 데이터시트 PDF




Mitsubishi Electric Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FS3UM-10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FS3UM-10 자료 제공

부품번호 FS3UM-10 기능
기능 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
제조업체 Mitsubishi Electric Semiconductor
로고 Mitsubishi Electric Semiconductor 로고


FS3UM-10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FS3UM-10 데이터시트, 핀배열, 회로
FS3UM-10
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS3UM-10
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
10.5MAX.
r
Dimensions in mm
4.5
1.3
2.54
φ 3.6
1.0
0.8
2.54 0.5
2.6
qwe
wr
¡VDSS ................................................................................ 500V
¡rDS (ON) (MAX) ................................................................. 4.4
¡ID ............................................................................................ 3A
q GATE
q w DRAIN
e SOURCE
r DRAIN
e
TO-220
APPLICATION
SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power
supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-
sonal computer etc.
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
Tch
Tstg
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
Typical value
Conditions
Ratings
500
±30
3
9
60
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2.0
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999




FS3UM-10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
20
Tch = 25°C
ID = 3A
16 VDS = 100V
200V
12
400V
8
4
0
0 4 8 12 16 20
GATE CHARGE Qg (nC)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS3UM-10
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
TC = 125°C
VGS = 0V
Pulse Test
8
25°C
6
75°C
4
2
0
0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
7 VGS = 10V
5 ID = 1/2ID
Pulse Test
3
2
100
7
5
3
2
10–1
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
1.4
VGS = 0V
ID = 1mA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
101
7
5
3 D=1
2
0.5
100
7 0.2
5
3
2
10–1
7
5
3
2
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
tw
T
D= tw
T
10–2
10–42 3 5710–32 3 5710–22 3 5710–12 3 57100 2 3 57101 2 3 57102
PULSE WIDTH tw (s)
Feb.1999

4페이지












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다운로드[ FS3UM-10.PDF 데이터시트 ]

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