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JANTXV2N2432A 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 JANTXV2N2432A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JANTXV2N2432A 자료 제공

부품번호 JANTXV2N2432A 기능
기능 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


JANTXV2N2432A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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JANTXV2N2432A 데이터시트, 핀배열, 회로
TECHNICAL DATA
NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/313
Devices
2N2432
2N2432A
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Collector Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ TA = +250C (1)
@ TC = +250C (2)
Operating & Storage Junction Temp. Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 2.0 mW/0C above TA > +250C
2) Derate linearly 4.0 mW/0C above TC > +250C
Symbol
VCEO
VCBO
VECO
IC
PT
Tstg
TJ
2N2432 2N2432A
30 45
30 45
15 18
100
300
600
-65 to +200
-65 to +175
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW
0C
0C
Symbol
RθJC
Max.
0.25
Unit
mW/ 0C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Emitter-Collector Breakdown Voltage
IE = 100 µAdc, IB = 0
2N2432
2N2432A
V(BR)ECO
IE = 10 mAdc, IB = 0
Collector-Emitter Breakdown Current
Both
IC = 10 mAdc
2N2432
2N2432A
V(BR)CEO
Collector-Emitter Cutoff Current
VCB = 25 Vdc
VCB = 40 Vdc
2N2432
2N2432A
ICES
Min.
15
18
10
30
45
TO- 18*
(TO-206AA)
*See appendix A for
package outline
Max.
Unit
Vdc
Vdc
10 ηAdc
10
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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