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부품번호 | FS50SM-2 기능 |
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기능 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE | ||
제조업체 | Mitsubishi Electric Semiconductor | ||
로고 | |||
FS50SM-2
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50SM-2
HIGH-SPEED SWITCHING USE
OUTLINE DRAWING
15.9MAX.
r
f 3.2
Dimensions in mm
4.5
1.5
2
1.0
q we
5.45 5.45
G
0.6
4.4
2.8
¡10V DRIVE
¡VDSS ................................................................................ 100V
¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 55mΩ
¡ID ......................................................................................... 50A
¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ........... 105ns
APPLICATION
Motor control, Lamp control, Solenoid control
DC-DC converter, etc.
4
wr
q GATE
q w DRAIN
e SOURCE
r DRAIN
e
TO-3P
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
IDA
IS
ISM
PD
Tch
Tstg
—
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche drain current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Weight
VGS = 0V
VDS = 0V
L = 50µH
Typical value
Conditions
Ratings
100
±20
50
200
50
50
200
70
–55 ~ +150
–55 ~ +150
4.8
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
Feb.1999
GATE-SOURCE VOLTAGE
VS.GATE CHARGE
(TYPICAL)
20
Tch = 25°C
ID = 50A
16
VDS = 20V
12
8 50V
80V
4
0
0 20 40 60 80 100
GATE CHARGE Qg (nC)
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS50SM-2
HIGH-SPEED SWITCHING USE
SOURCE-DRAIN DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
100
VGS = 0V
Pulse Test
80
60
TC = 125°C
40
20
75°C
25°C
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)
ON-STATE RESISTANCE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
101
7 VGS = 10V
5
4
ID = 1/2ID
Pulse Test
3
2
100
7
5
4
3
2
10–1
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
THRESHOLD VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
5.0
VDS = 10V
ID = 1mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
BREAKDOWN VOLTAGE VS.
CHANNEL TEMPERATURE
(TYPICAL)
1.4
VGS = 0V
ID = 1mA
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50 100 150
CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTICS
1072
5
3
2
1071
5
3
2
D = 1.0
1070
5
0.5
0.2
3
2
10–71
5
3
2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
tw
T
D= tw
T
10–2
10–42 3
5710–32 3
5710–22 3
5710–12 3
5 7 100
23
5 7 101
23
5 7 102
PULSE WIDTH tw (s)
Feb.1999
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FS50SM-06 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
FS50SM-06 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE | Powerex Power Semiconductors |
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