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IRF9392TRPbF 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRF9392TRPbF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRF9392TRPbF 자료 제공

부품번호 IRF9392TRPbF 기능
기능 HEXFET Power MOSFET
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRF9392TRPbF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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IRF9392TRPbF 데이터시트, 핀배열, 회로
VDS
VGS max
RDS(on) max
(@VGS = -10V)
ID
(@TA = 25°C)
-30
±25
17.5
-9.8
V
V
m
A
PD - 97571
IRF9392PbF
HEXFET® Power MOSFET
6
6
6
*
'
'
'
'
SO-8
Applications
Adaptor Input Switch for Notebook PC
Features and Benefits
Features
25V VGS max
Industry-Standard SO8 Package
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
Resulting Benefits
Direct Drive at High VGS
Multi-Vendor Compatibility
Environmentally Friendlier
Orderable part number
IRF9392PbF
IRF9392TRPbF
Package Type
SO8
SO8
Standard Pack
Form
Quantity
Tube/Bulk
95
Tape and Reel
4000
Note
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS Gate-to-Source Voltage
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C
IDM
PD @TA = 25°C
PD @TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ -10V
cPulsed Drain Current
fPower Dissipation
fPower Dissipation
Linear Derating Factor
TJ Operating Junction and
TSTG
Storage Temperature Range
Notes  through † are on page 2
www.irf.com
Max.
-30
±25
-9.8
-7.8
-80
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
Units
V
A
W
W/°C
°C
1
09/30/2010




IRF9392TRPbF pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRF9392PbF
100
TJ = 150°C
10
TJ = 25°C
VGS = 0V
1.0
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3
-VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125
TA , Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
10 0.20
0.10
0.05
1 0.02
0.01
150
0.1
1000
100
10
1
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100µsec
1msec
DC
0.1 TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.01
0.01 0.1
1
10msec
10 100 1000
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
2.4
2.2
2.0
1.8
ID = -25µA
1.6
1.4
1.2
1.0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
0.01
0.001
1E-006
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
1E-005
0.0001
0.001
0.01
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + TA
0.1 1 10 100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4 www.irf.com

4페이지










IRF9392TRPbF 전자부품, 판매, 대치품
IRF9392PbF
SO-8 Package Outline(Mosfet & Fetky)
Dimensions are shown in milimeters (inches)
9
6$
%
@
'&%$
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7
C
!$Ãb dÃ
6
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r
6
8
’
DI8C@T
9DH HDI H6Y
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SO-8 Part Marking Information
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APPUQSDIU
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'YÃ &'Ãb&d
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DIU@SI6UDPI6G
S@8UDAD@S
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)
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XXÃ2ÃX@@F
6Ã2Ã6TT@H7G`ÃTDU@Ã8P9@
GPUÃ8P9@
Q6SUÃIVH7@S
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
www.irf.com
7

7페이지


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