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DTA114TM 데이터시트 PDF




Taiwan Semiconductor에서 제조한 전자 부품 DTA114TM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DTA114TM 자료 제공

부품번호 DTA114TM 기능
기능 PNP Digital Transistor
제조업체 Taiwan Semiconductor
로고 Taiwan Semiconductor 로고


DTA114TM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DTA114TM 데이터시트, 핀배열, 회로
DTA114 TM/TE/TUA/TCA/TSA
PNP Digital Transistor
Small Signal Diode
Features
Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input resistor
(see equivalent circuit).
The bias resistors consist of thin -film resistors with
complete isolation to allow negative biasing of the
input.They also have the advantage of almost
completely eliminating parasitic effects.
Only the on/off conditions need to be set for
operation,marking device design easy.
Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code.
Ordering Information
1
Package
SOT-723
SOT-523
SOT-323
SOT-23
TO-92S
Part No.
Packing
DTA114 TM 8K / 7" Reel
DTA114 TE 3K / 7" Reel
DTA114 TUA 3K / 7" Reel
DTA114 TCA 3K / 7" Reel
DTA114 TSA 3K / 7" Reel
Marking
94
94
94
94
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
2
123
Type Number
Power Dissipation
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Junction and Storage Temperature Range
Symbol
PD
VCBO
VCEO
VEBO
IC
TJ, TSTG
TM TE
100 150
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
3
SOT-723/SOT-523
SOT-323/SOT-23
1.IN
2.GND
3.OUT
TO-92S
1.GND
2.OUT
3.IN
Value
TUA TCA
200
-50
-50
-5
-100
-55 to + 150
TSA Units
300 mW
V
V
mA
°C
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC Current Gain
Input Resistance
Resistance Ratio
Transition Frequency
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
Min
-50
-50
-5
Typ
Max
-0.5
Condtion
Ic=-50µA,IE=0
Ic=-1mA,IB=0
IE=-50µA,IC=0
VCB=-50V,IE=0
IEBO -0.5 VEB=-4V,IC=0
VCE(sat)
hFE
R1
fT
100
7
-0.3
250 600
10 13
IC=-10mA,IB=-1mA
VCE=-5V,IC=-1mA
250 VCE=-10V,IE=-5mA, f=100MHz
Unit
V
V
V
μA
μA
V
K
MHz
Version:B12





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다운로드[ DTA114TM.PDF 데이터시트 ]

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