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L2SC4226T1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 L2SC4226T1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 L2SC4226T1G 자료 제공

부품번호 L2SC4226T1G 기능
기능 High-Frequency Amplifier Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


L2SC4226T1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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L2SC4226T1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC4226T1G
S-L2SC4226T1G
3
1
2
SC-70/SOT-323
DESCRIPTION
The L2SC4226T1G is a low supply voltage transistor designed for VHF, UHF low
noise amplifier.
It is suitable for a high density surface mount assembly since the transistor
has been applied small mini mold package.
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
FEATURES
• Low Noise
NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High Gain
|S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• Small Mini Mold Package
EIAJ: SC-70
Driver Marking
L2SC4226T1G;S-L2SC4226T1G= R2
Ordering Information
Device
L2SC4226T1G
S-L2SC4226T1G
L2SC4226T3G
S-L2SC4226T3G
Marking
R2
R2
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
The information in this document is subject to change without notice.
Rev.O 1/5




L2SC4226T1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
6
VCE = 3 V
f = 1 GHz
4
2
0
0.5 1
5 10
50 100
IC – Collector Current – mA
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
5.0
f = 1 MHz
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1
2 5 10 20
VCB – Collector to Base Voltage – V
50
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC4226T1G S-L2SC4226T1G
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
24
VCE = 3 V
IC = 7 mA
20
16
12
8
4
0
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
f – Frequency – GHz
5.0
Rev.O 4/5

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