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L2SA812QLT1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 L2SA812QLT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 L2SA812QLT1G 자료 제공

부품번호 L2SA812QLT1G 기능
기능 General Purpose Transistors
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


L2SA812QLT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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L2SA812QLT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
FEATURE
ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V.
ƽEpitaxial planar type.
ƽNPN complement: L2SC1623
ƽPb-Free Package is available.
www.DataSheet4U.DcoEmVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
L2SA812QLT1
M8
3000/Tape&Reel
L2SA812QLT1G
L2SA812RLT1
M8
(Pb-Free)
M6
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
L2SA812RLT1G
L2SA812SLT1
M6
(Pb-Free)
M7
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
L2SA812SLT1G
M7
(Pb-Free)
MAXIMUM RATINGS
3000/Tape&Reel
Rating
Symbol
L2SA812
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO -50 V
Collector-Base Voltage
VCBO -60 V
Emitter-Base Voltage
VEBO -6 V
Collector current-continuoun
IC
THERMAL CHARATEERISTICS
-150
mAdc
Characteristic
Total Device Dissipation FR-5 Board, (1)
TA=25oC
Derate above 25oC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
PD
R θJA
Max
200
1.8
556
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) TA=25 oC
Derate above 25oC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
PD
R θJA
Tj ,Tstg
200
2.4
417
-55 to +150
L2SA812*LT1
3
1
2
SOT-23
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Unit
mW
mW/oC
oC/W
mW
mW/oC
oC/W
oC
L2SA812-1/5




L2SA812QLT1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SA812*LT1
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current ( )
–1
I C /I B = 10
www.DataSheet4U.com –0.5
Fig.8 Gain bandwidth product vs. emitter current
1000
T A = 25°C
V CE = –12V
500
–0.2
–0.1
–0.05
T A = 100°C
25°C
–40°C
–0.2
–0.5 –1 –2
–5 –10 –20
I C, COLLECTOR CURRENT (mA)
–50 –100
200
100
50
–0.2
–0.5 –1 –2
–5 –10 –20
I E, EMITTER CURRENT (mA)
–50 –100
Fig.9 Collector output capacitance vs.collector-base voltage
Emitter inputcapacitance vs. emitter-base voltage
20
C ib
10
T A = 25°C
f =1MHz
I E = 0A
I C = 0A
C ob
5
2
–0.5 –1
–2
–5 –10 –20
V CB, COLLECTOR TO BASE VOLTAGE (V)
V EB, EMITTER TO BASE VOLTAGE (V)
L2SA812-4/5

4페이지












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다운로드[ L2SA812QLT1G.PDF 데이터시트 ]

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