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L2SC3356WT3G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 L2SC3356WT3G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 L2SC3356WT3G 자료 제공

부품번호 L2SC3356WT3G 기능
기능 High-Frequency Amplifier Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


L2SC3356WT3G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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L2SC3356WT3G 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
DESCRIPTION
The L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for
low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has dynamic range and good current characteristic.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
L2SC3356WT1G
S-L2SC3356WT1G
3
ORDERING INFORMATION
Device
L2SC3356WT1G
S-L2SC3356WT1G
L2SC3356WT3G
S-L2SC3356WT3G
Marking
24
24
Shipping
3000/Tape & Reel
10000/Tape & Reel
1
2
SC-70
FEATURES
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• Low Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz
• High Power Gain
MAG = 13 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)
Collector to Base Voltage
VCBO
20 V
Collector to Emitter Voltage VCEO
12 V
Emitter to Base Voltage
VEBO
3.0 V
Collector Current
IC 100 mA
Total Power Dissipation
PT
150 mW
Junction Temperature
Tj
150 C
Storage Temperature
Tstg 65 to +150 C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT
TEST CONDITIONS
Collector Cutoff Current
ICBO
1.0 A VCB = 10 V, IE = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO
1.0 A VEB = 1.0 V, IC = 0
DC Current Gain
hFE 82 170 270
VCE = 3 V, IC = 10 mA
Gain Bandwidth Product
fT
7 GHz VCE = 10 V, IC = 20 mA
Feed-Back Capacitance
Cre**
0.55 1.0
pF VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
Insertion Power Gain
S21e2
11.5
dB VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz
Noise Figure
NF 1.1 2.0 dB VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz
* Pulse Measurement PW  350 s, Duty Cycle  2 %
* The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitance bridge.
Rev.O 1/4




L2SC3356WT3G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC3356WT1G ;S-L2SC3356WT1G
SC-70
D
e1
3
HE
1
E
2
b
e
0.05 (0.002)
A1
A A2
SOLDERING FOOTPRINT*
0.65
0.025
0.65
0.025
L
0.9
0.035
0.7
0.028
1.9
0.075
ǒ ǓSCALE 10:1
mm
inches
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
MILLIMETERS
DIM MIN NOM MAX
A 0.80
0.90
1.00
A1 0.00
0.05
0.10
A2 0.7 REF
b 0.30 0.35 0.40
c 0.10 0.18 0.25
D 1.80
2.10
2.20
E 1.15 1.24 1.35
e 1.20 1.30 1.40
e1 0.65 BSC
L 0.425 REF
c H E 2.00 2.10 2.40
MIN
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
0.079
INCHES
NOM
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.017 REF
0.083
MAX
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
0.095
GENERIC
MARKING DIAGRAM
XXM
1
XX = Specific Device Code
M = Date Code
G = Pb−Free Package
*This information is generic. Please refer to
device data sheet for actual part marking.
Pb−Free indicator, “G” or microdot “ G”,
may or may not be present.
Rev.O 4/4

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