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L2SD2114KWLT3G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 L2SD2114KWLT3G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 L2SD2114KWLT3G 자료 제공

부품번호 L2SD2114KWLT3G 기능
기능 NPN silicon transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


L2SD2114KWLT3G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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L2SD2114KWLT3G 데이터시트, 핀배열, 회로
Epitaxial planar type
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
NPN silicon transistor
L2SD2114KVLT1G Series
zFeatures
1) High DC current gain.
S-L2SD2114KVLT1G Series
hFE = 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
VEBO =12V (Min.)
3
3) Low VCE (sat).
VCE (sat) = 0.18V (Typ.)
(IC / IB = 500mA / 20mA)
1
2
4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
5) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
SOT– 23 (TO–236AB)
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
VCBO
VCEO
VEBO
Collector current
IC
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Single pulse Pw=100ms
PC
Tj
Tstg
Limits
25
20
12
0.5
1
0.2
150
55∼+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
°C
°C
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
25
20
12
0.18
0.5
0.5
0.4
V IC=10µA
V IC=1mA
V IE=10µA
µA VCB=20V
µA VEB=10V
V IC/IB=500mA/20mA
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Output On-resistance
Measured using pulse current
hFE 820 2700 VCE=3V, IC=10mA
fT350 MHz VCE=10V, IE=−50mA, f=100MHz
Cob 8.0 pF VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
Ron 0.8 pF IB=1mA, Vi=100mV(rms), f=1kHz
ƽ hFE Values Classification, Device Marking and Ordering Information
Device
L2SD2114KVLT1G
S-L2SD2114KVLT1G
hFE
820~1800
Marking
BV
Shipping
3000/Tape&Reel
L2SD2114KVLT3G
S-L2SD2114KVLT3G
820~1800
BV 10000/Tape&Reel
L2SD2114KWLT1G
S-L2SD2114KWLT1G
L2SD2114KWLT3G
S-L2SD2114KWLT3G
1200~2700
1200~2700
BW 3000/Tape&Reel
BW 10000/Tape&Reel
Rev.O 1/4




L2SD2114KWLT3G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SD2114KVLT1G Series
S-L2SD2114KVLT1G Series
A
L
3
BS
12
VG
C
D
H
K
0.037
0.95
SOT-23
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
INCHES
MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A 0.1102 0.1197 2.80 3.04
B 0.0472 0.0551 1.20 1.40
C 0.0350 0.0440 0.89 1.11
D 0.0150 0.0200 0.37 0.50
G 0.0701 0.0807 1.78 2.04
H 0.0005 0.0040 0.013 0.100
J 0.0034 0.0070 0.085 0.177
J K 0.0140 0.0285 0.35 0.69
L 0.0350 0.0401 0.89 1.02
S 0.0830 0.1039 2.10 2.64
V 0.0177 0.0236 0.45 0.60
PIN 1. ANODE
2. NO CONNECTION
3. CATHODE
0.037
0.95
0.035
0.9
0.079
2.0
0.031
0.8
inches
mm
Rev.O 4/4

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