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LDTBG12GPT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LDTBG12GPT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LDTBG12GPT1G 자료 제공

부품번호 LDTBG12GPT1G 기능
기능 Bias Resistor Transistor
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LDTBG12GPT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LDTBG12GPT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
PNP Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
LDTBG12GPT1G
zApplications
Driver
zFeatures
1) High hFE.
300 (Min.) (VCE / IC=2V / 0.5A)
2) Low saturation voltage,
(VCE(sat)=0.4V at IC / IB=500mA / 5mA)
3) Built-in zener diode gives strong protection against
reverse surge by L- load (an inductive load).
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
zStructure
NPN epitaxial planar silicon transistor
(with built-in resistor and zener diode)
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
-60±10
-60 ±10
-5
-1
-2 1
0.5
2 2
150
55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
1 Pw10ms, Duty cycle1/2
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking R1 (K) R2 (K)
Shipping
3
1
2
SOT-23
1
BASE
R1
R
3
COLLECTOR
R=10k
2
EMITTER
LDTBG12GPT1G
Q8
1 22 3000/Tape & Reel
LDTBG12GPT3G
Q8
1 22 10000/Tape & Reel
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Emitter-base resistance
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
R
Min.
-50
-50
-5
-300
300
7
Transition frequency
fT ∗ −
Characteristics of built-in transistor
Typ.
10
80
Max.
-70
-70
-0.5
-580
-0.4
13
Unit
V
V
V
µA
µA
V
k
MHz
Conditions
IC=-50µA
IC=-1mA
IE=-720µA
VCB=-40V
VEB=-4V
IC/IB=-500mA/-5mA
VCE=-2V, IC=-500mA
VCE=-5V, IE=−-0.1A, f=-30MHz
1/3





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