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LDTA113TWT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LDTA113TWT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 LDTA113TWT1G 자료 제공

부품번호 LDTA113TWT1G 기능
기능 Bias Resistor Transistor
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LDTA113TWT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LDTA113TWT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
PNP Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Pc
Tj
Tstg
Limits
50
50
5 to +10
100
200
150
55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking R1 (K) R2 (K)
Shipping
LDTA113TWT1G
91
1
3000/Tape & Reel
LDTA113TWT3G
91
1
10000/Tape & Reel
LDTA113TWT1G
3
1
2
SOT–323 (SC–70)
1
BASE
R1
3
COLLECTOR
2
EMITTER
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Input resistance
Transition frequency
Characteristics of built-in transistor
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
R1
fT
Min. Typ. Max. Unit
Conditions
50 − − V IC= 50µA
50 − − V IC= 1mA
5 − − V IE= 50µA
− − 0.5 µA VCB= 50V
− − 0.5 µA VEB= 4V
− −0.3 V IC /IB= 5mA / 0.25mA
100 250 600
IC= 1mA , VCE= 5V
0.7 1 1.3 k
250 MHz VCB= 10V , IE=5mA , f=100MHz
1/3





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