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LDTD114GWT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LDTD114GWT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LDTD114GWT1G 자료 제공

부품번호 LDTD114GWT1G 기능
기능 Bias Resistor Transistor
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LDTD114GWT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LDTD114GWT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
NPN Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
50
50
5
500
200
150
55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
LDTD114GWT1G
S-LDTD114GWT1G
3
1
2
SOT–323 (SC–70)
1
BASE R2
3
COLLECTOR
2
EMITTER
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking R1 (K) R2 (K)
Shipping
LDTD114GWT1G
S-LDTD114GWT1G
LDTD114GWT3G
S-LDTD114GWT3G
E7
E7
_ 10 3000/Tape & Reel
_ 10 10000/Tape & Reel
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Emitter-base resistance
Transition frequency
Characteristics of built-in transistor.
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
R
fT
Min.
50
50
5
300
56
7
Typ.
10
200
Max.
0.5
580
0.3
13
Unit
V
V
V
µA
µA
V
k
MHz
Conditions
IC=50µA
IC=1mA
IE=720µA
VCB=50V
VEB=4V
IC/IB=50mA / 2.5mA
IC=50mA , VCE=5V
VCE=10V , IE= 50mA , f =100MHz
Rev.O 1/3





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