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LDTD123YWT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LDTD123YWT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LDTD123YWT1G 자료 제공

부품번호 LDTD123YWT1G 기능
기능 Bias Resistor Transistor
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LDTD123YWT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LDTD123YWT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
NPN Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCC
VIN
IC
Pd
Tj
Tstg
Limits
50
5 to +12
500
200
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mW
C
C
LDTD123YWT1G
S-LDTD123YWT1G
3
1
2
SOT–323 (SC–70)
1
BASE
R1
R2
3
COLLECTOR
2
EMITTER
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking R1 (K) R2 (K)
Shipping
LDTD123YWT1G
S-LDTD123YWT1G
LDTD123YWT3G
S-LDTD123YWT3G
E9
E9
2.2 10 3000/Tape & Reel
2.2 10 10000/Tape & Reel
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
Transition frequency
Transition frequency of the device
Symbol
VI(off)
VI(on)
VO(on)
II
IO(off)
GI
R1
R2/R1
fT
Min.
2
56
1.54
3.6
Typ.
0.1
2.2
4.5
200
Max.
0.3
0.3
3.6
0.5
2.86
5.5
Unit
V
V
mA
µA
k
MHz
Conditions
VCC=5V, IO=100µA
VO=0.3V, IO=20mA
IO/II=50mA/2.5mA
VI=5V
VCC=50V, VI=0V
VO=5V, IO=50mA
VCE=10V, IE= 50mA, f=100MHz
Rev.O 1/3





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