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LDTB143EWT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LDTB143EWT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LDTB143EWT1G 자료 제공

부품번호 LDTB143EWT1G 기능
기능 Bias Resistor Transistor
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LDTB143EWT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LDTB143EWT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
PNP Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Supply voltage
Input voltage
Output current
VCC
VIN
IC
50
30 to +10
500
V
V
mA
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
PD
Tj
Tstg
200
150
55 to +150
mW
C
C
LDTB143EWT1G
S-LDTB143EWT1G
3
1
2
SOT–323 (SC–70)
1
BASE
R1
R2
3
COLLECTOR
2
EMITTER
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking R1 (K) R2 (K)
Shipping
LDTB143EWT1G
S-LDTB143EWT1G
LDTB143EWT3G
S-LDTB143EWT3G
K6
K6
4.7 4.7 3000/Tape & Reel
4.7 4.7 10000/Tape & Reel
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
Transition frequency
Characteristics of built-in tranasistor
Symbol
VI(off)
VI(on)
VO(on)
II
IO(off)
GI
R1
R2/R1
fT
Min.
3
47
3.29
0.8
Typ.
0.1
4.7
1
200
Max.
0.5
0.3
1.8
0.5
6.11
1.2
Unit
V
V
mA
µA
k
MHz
Conditions
VCC= −5V, IO= −100µA
VO= −0.3V, IO= −20mA
IO/II= −50mA/2.5mA
VI= −5V
VCC= −50V, VI=0V
VO= −5V, IO= −50mA
VCE= −10V, IE=50mA, f=100MHz
Rev.O 1/3





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