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부품번호 | CS8305E 기능 |
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기능 | 5.0W mono / ultra-low EMI / filterless Class-D audio amplifier | ||
제조업체 | Chipstar Micro-electronics | ||
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上海智浦欣微电子有限公司
Chipstar Micro-electronics
CS8305E
5.0W单声道、超低EMI、无滤波器D类音频功放
概要
C S 8 3 0 5 E是 一 款 高 效 率 , 超 低E M I,5 . 0 W单 声 道 D 类 音
频放大器。CS8305E无需滤波器的PWM调制结构减少了
外 部 元 件 、P C B面 积 和 系 统 成 本 , 而 且 也 简 化 了 设 计 。
高 达9 0 %的 效 率 , 快 速 的 启 动 时 间 和 纤 小 的 封 装 尺 寸 使
得CS8305E成为锂电或者USB供电音箱的最佳选择。
CS8305E的 全 差 分 架 构 和 极 高 的 PSRR有 效 地 提 高 了
CS8305E对RF噪声的抑制能力,并且省去了传统音频功放
的BYPASS电容。
CS8305E采 用 独 创 的 AERC(Adaptive Edge Rate
Control)技 术,能 提 供 优 异 的 全 带 宽EMI抑 制 能 力,在 不 加
任何辅助设计时,在FCC Part15 Class B标准下仍然具有
超 过2 0 d B的 裕 量 , 特 别 适 合 音 箱 、C M M B、 移 动 模 拟 电
视等易受EMI干扰的应用。
CS8305E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保
护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS8305E提供了ESOP8的封装类型,良好的散热性能使得
芯 片 在 大 功 率 的 情 况 使 用 更 安 全,其 额 定 的 工 作 温 度 范 围
为-40℃至85℃。
封装
ESOP8L
其他客户要求的封装类型
描述
输出功率
PO at 10% THD+N, VDD = 5.5V
RL = 2 Ω 5.34W(典型值)
RL = 4 Ω 3.04W(典型值)
PO at 1% THD+N, VDD = 3.6V
RL = 2 Ω 1.86W(典型值)
RL = 4 Ω 1.25W(典型值)
独创的AERC技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
工作电压范围:2.5V到6.0V
无需滤波的Class-D结构
高达90%的效率
高的电源抑制比(PSRR):在217Hz下为-80dB
快速的启动时间 (40ms)
低静态电流 (4mA)
低关断电流 (<0.1µA)
过流保护,短路保护和过热保护
符合Rohs标准的无铅封装
应用:
USB音箱/便携式音箱
PMP/MP4/MP5播放器
GPS
数码相框
引脚分布
1 VO+
2 PVDD
3 VDD
4 -IN
ESOP_8L
(Top View)
VO- 8
GND 7
SD 6
+IN 5
引脚定义以及功能
序号
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
VO+
PVDD
VDD
-IN
+IN
SD
GND
VO-
描述
正相音频输出
电源输入
模拟电源输入
反相音频输入
正相音频输入
关断控制
地
反相音频输出
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Jul,2011 Rev.1.0
上海智浦欣微电子有限公司
Chipstar Micro-electronics
CS8305E
电气参数
TA = 25°C (除非特殊说明)
参数
描述
VOO
PSRR
CMRR
输出失调电压
电源抑制比
共模抑制比
IIH 高电平输入电流
IIL 低电平输入电流
IDD 静态电流
测试条件 最小
VIN=0V, Av=2V/V
VDD=2.5V to 6.0V
VDD=2.5V to 6.0V,217Hz
输入管脚短接 ,
VDD=2.5V to 6 . 0 V
VDD=6.0V, VI= V DD
VDD=6.0V, VI= 0 V
VDD=6.0V,无负载,无滤波
VDD=3.6V,无负载,无滤波
ISD 关断电流
rDS(ON)
源漏导通电阻
关断状态下输出阻抗
VDD=5.5V
VDD=3.6V
V(SHUTDOW N )=0.35V
f(SW)
Gain
调制频率
放大倍数
VDD=2.5V to 6.0V
RSD SHUTDOWN 引脚下拉电阻
典型值
5
最大
25
单位
mV
-80 dB
-70 dB
50 µA
5 µA
3.6
2.5
0.1
260
330
mA
µA
mΩ
2 KΩ
750
2× 150kΩ
Rin
Khz
V/V
230 KΩ
工作特性
TA=25°C,Gain = 2 V/V, RL = 8 Ω (除非特殊说明)
参数
描述
测试条件
VDD=5.5V,THD=10%,f=1KHz,RL=2Ω
VDD=5.5V,THD=1%, f=1KHz,RL=2Ω
VDD=5.0V,THD=10%,f=1KHz,RL=4Ω
VDD=5.0V,THD=1%, f=1KHz,RL=4Ω
VDD=3.6V,THD=10%,f=1KHz,RL=2Ω
PO 输出功率 VDD=3.6V,THD=1%, f=1KHz,RL=2Ω
VDD=3.6V,THD=10%,f=1KHz,RL=4Ω
VDD=3.6V,THD=1%, f=1KHz,RL=4Ω
VDD=3.2V,THD=10%,f=1KHz,RL=2Ω
VDD=3.2V,THD=1%, f=1KHz,RL=2Ω
VDD=3.2V,THD=10%,f=1KHz,RL=4Ω
VDD=3.2V,THD=1%, f=1KHz,RL=4Ω
VDD=5.0V,Po=0.6W, f=1KHz,RL=2Ω
THD+N 总谐波失真+噪声
VDD=4.2V,Po=0.4W, f=1KHz,RL=4Ω
VDD=3.6V,Po=0.4W, f=1KHz,RL=4Ω
η 效率 VDD=5.0V,Po=0.6W, f=1KHz,RL=8Ω
tST 启动时间
最小
典型
5.34
4.29
3.04
2.46
2.28
1.86
1.56
1.25
1.82
1.48
1.21
0.97
0.20
0.16
0.15
90
最大 单位
W
%
%
40 ms
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Jul,2011 Rev.1.0
4페이지 上海智浦欣微电子有限公司
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CS8305E
典型特征曲线 TA=25°C,Gain = 2 V/V, RL = 4 Ω (除非特殊说明)
POWER DISSIPATION vs OUTPUT POWER
0.16
0.14
0.12
0.10
VDD=5V
VDD=3.6V
0.08 VDD=2.5V
0.06
0.04
0.02 RL=2Ω+33μH
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Output Power ( W )
SUPPLY CURRENT vs OUTPUT POWER
2000
1600
1200
1000
VDD=3.6V
VDD=2.5V
800
VDD=5V
600
400
200 RL=2Ω+33μH
0
0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0 3.6 4.2 4.8 5.4
Output Power ( W )
SUPPLY CURRENT vs SUPPLY VOLTAGE
4
3.8
3.6
RL=2Ω+33μH
3.4
3.2 RL=4Ω+33μH
3
2.8
2.6
3 3.5 4 4.5 5 5.5
Supply Voltage ( V )
POWER DISSIPATION vs OUTPUT POWER
0.7
0.6
VDD=5V
0.5
0.4 VDD=3.6V
0.3
VDD=2.5V
0.2
0.1 RL=4Ω+33μH
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
Output Power ( W )
SUPPLY CURRENT vs OUTPUT POWER
700
600 VDD=5V
500 VDD=3.6V
400 VDD=2.5V
300
200
100
0
0
RL=4Ω+33μH
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Output Power ( W )
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