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IRL3714ZLPbF 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRL3714ZLPbF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRL3714ZLPbF 자료 제공

부품번호 IRL3714ZLPbF 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRL3714ZLPbF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

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IRL3714ZLPbF 데이터시트, 핀배열, 회로
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
PD - 95661
IRL3714ZPbF
IRL3714ZSPbF
IRL3714ZLPbF
HEXFET® Power MOSFET
VDSS RDS(on) max Qg
:20V 16m
4.8nC
Benefits
l Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3714Z
D2Pak
IRL3714ZS
TO-262
IRL3714ZL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TC = 25°C
PD @TC = 100°C
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
™Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
RθJC
RθCS
RθJA
RθJA
Junction-to-Case
eCase-to-Sink, Flat Greased Surface
Junction-to-Ambient
hJunction-to-Ambient (PCB Mount)
Notes  through † are on page 12
www.irf.com
Max.
20
± 20
36g
25g
140
35
18
0.23
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
4.3
–––
62
40
Units
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
1
7/30/04




IRL3714ZLPbF pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRL3714Z/S/LPbF
10000
1000
100
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
6.0
ID= 14A
5.0
4.0
VDS= 16V
VDS= 10V
3.0
2.0
1.0
0.0
0
123456
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
7
1000.00
100.00
TJ = 175°C
10.00
1.00
0.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.5 1.0 1.5 2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
2.5
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10 100µsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1
01
1msec
10msec
10 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com

4페이지










IRL3714ZLPbF 전자부품, 판매, 대치품
IRL3714Z/S/LPbF
+
‚
-

RG
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
ƒ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
- Low Leakage Inductance
Current Transformer
-„ +
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery
dv/dt
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
VDD
+
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
-
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
Ripple 5%
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET® Power MOSFETs
*VGS=10V
VDD
ISD
Id
Vds
Vgs
Vgs(th)
www.irf.com
Qgs1 Qgs2 Qgd
Qgodr
Fig 16. Gate Charge Waveform
7

7페이지


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