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FSBCW30 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FSBCW30은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FSBCW30 자료 제공

부품번호 FSBCW30 기능
기능 PNP General Purpose Amplifier
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FSBCW30 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FSBCW30 데이터시트, 핀배열, 회로
Discrete POWER & Signal
Technologies
FSBCW30
C
B
SuperSOTTM-3
E
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power
amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA.
Sourced from Process 68. See BC857A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
VCEO
Collector-Emitter Voltage
32
VCBO
Collector-Base Voltage
32
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
IC Collector Current - Continuous
500
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
PD Total Device Dissipation
Derate above 25°C
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient
*Device mounted on FR-4 PCB 4.5" x 5"; mounting pad 0.02 in2 of 2oz copper.
Max
FSBCW30
500
4
250
Units
V
V
V
mA
°C
Units
mW
mW/°C
°C/W
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBCW30, Rev B




FSBCW30 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
Collector Saturation Region
4
Ta = 25°C
3
2 Ic = 100 uA
50 mA
300 mA
1
0
100 300 700 2000 4000
I B- BASE CURRENT (uA)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
100
f = 1.0 MHz
10
Cib
Cob
0.1 1 10 100
Vce- COLLECTOR VOLTAGE(V)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
40
Vce = 5V
30
20
10
0
1
10 20
50 100 150
IC- COLLECTOR CURRENT (mA)
P 68
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30 t d
0
10
Switching Times vs
Collector Current
ts
IB1 = IB2 = Ic / 10
V cc = 10 V
tf tr
20 30 50
100 200 300
IC - COLLECTOR CURRENT (mA)
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
700
600
500 TO-92
400 SOT-23
300
200
100
0
0 25 50 75 100 125
TEMPERATURE (oC)
150
FSBCW30, Rev B

4페이지












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