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PDF RJP56F4 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RJP56F4
Descripción IGBT
Fabricantes AG Electronica　
Logotipo AG Electronica Logotipo



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No Preview Available ! RJP56F4 Hoja de datos, Descripción, Manual

IGBT 430V/200A
Número de parte: RJP56F4
Descripción:
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 KHz (en algunos casos menores de
100KHz). Su conmutación es de alta velocidad.
Encapsulado: TO 220FN.
Energía de disipación: De 3W y máxima disipación de 30W.
Voltaje de la fuente: 4.75V a 5.25V.
Voltaje de colector-emisor: 430V.
Corriente de colector: 200A.
Voltaje de compuerta- emisor: ±33V.
Temperatura de funcionamiento: -50°C a 150°C.

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RJP56F4IGBTAG Electronica
AG Electronica

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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