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LDTB143TLT1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 LDTB143TLT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 LDTB143TLT1G 자료 제공

부품번호 LDTB143TLT1G 기능
기능 Bias Resistor Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


LDTB143TLT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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LDTB143TLT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
PNP Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
50
40
5
500
200
150
55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
LDTB143TLT1G
S-LDTB143TLT1G
3
1
2
SOT-23
1
BASE
R1
3
COLLECTOR
2
EMITTER
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking R1 (K) R2 (K)
Shipping
LDTB143TLT1G
S-LDTB143TLT1G
LDTB143TLT3G
S-LDTB143TLT3G
K2
K2
4.7
4.7
3000/Tape & Reel
10000/Tape & Reel
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage BVCBO 50 − − V IC= −50µA
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO 40 − − V IC= −1mA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO 5 − − V IE= −50µA
Collector cutoff current
ICBO − − −0.5 µA VCB= −50V
Emitter cutoff current
IEBO − − −0.5 µA VEB= −4V
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) − − −0.3 V IC/IB= −50mA/2.5mA
DC current transfer ratio
hFE 100 250 600 VCE= −5V, IC= −50mA
Input resistance
R1 3.29 4.7 6.11 k
Transition frequency
Characteristics of built-in transistor
fT 200 MHz VCE= −10V, IE=50mA, f=100MHz
Rev.O 1/3





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