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부품번호 | KGT15N60FDA 기능 |
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기능 | NPT Trench IGBT | ||
제조업체 | KEC | ||
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전체 8 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
KEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency
and high avalanche ruggedness as well as short circuit ruggedness.
It is designed for hard switching applications.
FEATURES
High speed switching
High system efficiency
Short Circuit Withstand Times 5us(@TC=100 )
Extremely enhanced avalanche capability
KGT15N60FDA
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING UNIT
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
VCES
VGES
600 V
20 V
Collector Current
@Tc=25
@Tc=100
15 A
IC
7.5 A
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current @Tc=25
Diode Maximum Forward Current
ICM* 30 A
IF 15 A
IFM* 45 A
Maximum Power Dissipation
@Tc=25
@Tc=100
41.6 W
PD
17 W
*RMeapxeitmitiuvme rJautinncgti:oPnuTlseemwpeidrathtulriemited by max. junction temTpjerature 150
Storage Temperature Range
Tstg -55 to + 150
THERMAL CHARACTERISTIC
CHARACTERISTIC
Thermal Resistance, Junction to Case (IGBT)
Thermal Resistance, Junction to Case (DIODE)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
SYMBOL
Rt h JC
Rt h JCD
Rt h JA
MAX.
3.0
3.6
62.5
UNIT
/W
/W
/W
2012. 7. 13
Revision No : 1
E
C
G
1/8
KGT15N60FDA
2012. 7. 13
Revision No : 1
4/8
4페이지 KGT15N60FDA
2012. 7. 13
Revision No : 1
7/8
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KGT15N60FDA | NPT Trench IGBT | KEC |
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