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STPS30L120C 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STPS30L120C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STPS30L120C 자료 제공

부품번호 STPS30L120C 기능
기능 Power Schottky rectifier
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STPS30L120C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STPS30L120C 데이터시트, 핀배열, 회로
STPS30L120C
Power Schottky rectifier
Features
High junction temperature capability
Avalanche capability specified
Low forward voltage drop current
High frequency operation
Insulated package: TO-220FPAB
– Insulating voltage = 1500 V rms
– Typical package capacitance 12 pF
Description
This dual center tap Schottky rectifier is suited for
high frequency switch mode power supplies.
Packaged in TO-220AB, I2PAK and TO-220FPAB,
this device provides adaptor designers with an
optimized price-performance ratio.
Figure 1. Electrical characteristics (a)
VI
"Forward"
I
2 x IO
X
VRRM
VAR VR
IF
IO
IR
X
V
"Reverse"
VTo VF(Io) VF VF(2xIo)
A1
A2
K
A2
A1 K
TO-220AB
STPS30L120CT
K
A2
K
A1
TO-220FPAB
STPS30L120CFP
A2
K
A1
I2PAK
STPS30L120CR
Table 1. Device summary
Symbol
Value
IF(AV)
VRRM
Tj(max)
VF(typ)
2 x 15 A
120 V
150 °C
0.51 V
IAR
a. VARM and IARM must respect the reverse safe
operating area defined in Figure 13. VAR and IAR are
pulse measurements (tp < 1 µs). VR, IR, VRRM and VF,
are static characteristics.
May 2011
Doc ID 16313 Rev 3
1/10
www.st.com
10




STPS30L120C pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics
STPS30L120C
Figure 6.
IM(A)
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40 IM
20
0
1.E-03
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
TO-220AB, I2PAK
t
δ =0.5
1.E-02
t(s)
1.E-01
TC=25°C
TC=75°C
TC=125°C
1.E+00
Figure 7.
IM(A)
120
100
80
60
40
20 IM
0
1.E-03
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
TO220FPAB
t
δ =0.5
1.E-02
t(s)
1.E-01
TC=25°C
TC=75°C
TC=125°C
1.E+00
Figure 8.
Relative variation of thermal
Figure 9.
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AB, I2PAK)
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1 Single pulse
0.0
1.E-03
tp(s)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Zth(j-c)/Rth(j-c)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Single pulse
0.0
1.E-03
1.E-02
tp(s)
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Figure 10. Reverse leakage current versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
Figure 11. Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
IR(mA)
1.E+02
1.E+01
Tj=150°C
C(pF)
1000
F=1MHz
VOSC=30mVRMS
Tj=25°C
1.E+00
Tj=125°C
Tj=100°C
1.E-01
Tj=75°C
Tj=50°C
1.E-02
1.E-03
0
Tj=25°C
VR(V)
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
100
1
VR(V)
10 100 1000
4/10 Doc ID 16313 Rev 3

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STPS30L120C 전자부품, 판매, 대치품
STPS30L120C
Package information
Table 6. TO-220FPAB dimensions
Dimensions
Ref. Millimeters
Inches
L2
L3
L4
Min. Max. Min. Max.
A 4.4 4.6 0.173 0.181
B 2.5 2.7 0.098 0.106
A
H B D 2.5 2.75 0.098 0.108
E 0.45 0.70 0.018 0.027
Dia
F 0.75
1 0.030 0.039
L6
L5
D
F1
F2
F1 1.15 1.70 0.045 0.067
L7 F2 1.15 1.70 0.045 0.067
G 4.95 5.20 0.195 0.205
G1 2.4
2.7 0.094 0.106
H 10 10.4 0.393 0.409
L2 16 Typ.
0.63 Typ.
F
G1
G
E L3 28.6 30.6 1.126 1.205
L4 9.8 10.6 0.386 0.417
L5 2.9
3.6 0.114 0.142
L6 15.9 16.4 0.626 0.646
L7 9.00 9.30 0.354 0.366
Dia. 3.00
3.20 0.118 0.126
Doc ID 16313 Rev 3
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