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2N6771 데이터시트 PDF




INCHANGE에서 제조한 전자 부품 2N6771은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N6771 자료 제공

부품번호 2N6771 기능
기능 Silicon NPN Power Transistors
제조업체 INCHANGE
로고 INCHANGE 로고


2N6771 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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2N6771 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 300V(Min)- 2N6771
= 350V(Min)- 2N6772
= 400V(Min)- 2N6773
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
APPLICATIONS
·Designed for use in off-line power supplies and is also well
suited for use in a wide range of inverter or converter circuits
and pulse-width-modulated regulators.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCEV
Collector-Emitter Voltage
VBE= -1.5V
2N6771
2N6772
2N6773
450
550
650
V
2N6771
300
VCEO(SUS) Collector-Emitter Voltage
2N6772
2N6773
350
400
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
8V
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
8A
10 A
IB Base Current-Continuous
4A
PC Collector Power Dissipation@TC=25150
TJ Junction Temperature
200
W
Tstg Storage Temperature
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
1.17
UNIT
/W
isc Product Specification
2N6771/6772/6773
isc websitewww.iscsemi.cn
1





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