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부품번호 | EMB06N03V 기능 |
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기능 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
6mΩ
ID 26A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=14A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
PD
Tj, Tstg
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2012/3/10
EMB06N03V
LIMITS
±20
26
18.5
104
14
9.8
4.9
25
8
2.5
1
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
W
°C
MAXIMUM
6
50
UNIT
°C / W
p.1
On‐Region Characteristics
50
10V 7V 5V
4.5V
40
30
20
10
0
0 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.5
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 14A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature (°C)
50
Transfer Characteristics
VD S = 10V
40
30
T A = ‐55°C
25°C
20
125°C
10
0
1 1.5 2.0 2.5 3.0
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
3.5
2012/3/10
EMB06N03V
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
V G S= 4.5V
5V
5.5V
6V
7V
10V
10 20 30 40
I D ,Drain Current( A )
50
0.025
0.020
ON‐RESISTANCE VARIATION WITH GATE‐SOURCE VOLTAGE
ID = 7A
0.015
0.010
0.005
0
2
46
VG S ,GATE‐SOURCE VOLTAGE
TA = 125° C
TA = 25° C
8 10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
VG S = 0V
10 T A = 125° C
1 25° C
0.1 ‐55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB06N03A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB06N03E | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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