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60N321 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 60N321은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 60N321 자료 제공

부품번호 60N321 기능
기능 GT60N321
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


60N321 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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60N321 데이터시트, 핀배열, 회로
GT60N321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT60N321
High-Power Switching Applications
Fourth Generation IGBT
Unit: mm
FRD included between emitter and collector
Enhancement mode type
High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A)
FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = 20 A/μs)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
symbol
Rating
Unit
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
DC
1 ms
Emitter-Collector
Forward Current
DC
1 ms
Collector Power Dissipation
(Tc = 25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Screw Torque
VCES
VGES
IC
ICP
IECF
IECFP
PC
Tj
Tstg
1000
±25
60
120
15
120
170
150
55 to 150
0.8
V
V
A
A
W
°C
°C
Nm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-21F2C
Weight: 9.75 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Marking
Collector
Gate
Emitter
TOSHIBA
GT60N321
JAPAN
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
1 2010-01-07




60N321 pdf, 반도체, 판매, 대치품
VCE, VGE – QG
20
Common
emitter
16 RL = 2.5 Ω
TC = 25°C
12 VCE = 150 V
8
100 V
4
50 V
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
Gate charge QG (nC)
GT60N321
Switching time – RG
10
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 60 A
VGG = ±15 V
TC = 25°C
toff
1 ton
tr
tf
0.1
1 10 100 1000
Gate resistance RG (Ω)
Switching Time – IC
10
Common emitter
VCC = 600 V
RG = 51 Ω
VGG = ±15 V
TC = 25°C
1 toff
ton
tf
tr
0.1
0 20 40 60
Collector current IC (A)
80
10000
1000
C – VCE
Cies
Common emitter
VGE = 0 V
f = 1 MHz
TC = 25°C
100
10
1
Coes
Cres
10 100 1000
Collector-emitter voltage VCE (V)
10000
Safe Operating Area
1000
IC max (Pulsed)*
100 IC max
(Continuous)
DC
Operation
* Single
10 non-repetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be
derated linearly
with increase in
temperature.
1
1 10
1 ms*
10 μs*
100 μs*
10 ms*
100 1000
Collector- emitter voltage VCE (V)
3000
Reverse Bias SOA
300
Tj 125°C
VGE = ±15 V
100 RG = 10 Ω
50
30
10
5
3
1
1
30
100
300
1000
3000
Collector-emitter voltage VCE (V)
4 2010-01-07

4페이지












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